MCMA25PD1200TB是一款由Mitsubishi Electric(三菱电机)制造的功率模块,属于碳化硅(SiC)功率器件系列。该模块采用了先进的SiC半导体技术,具备出色的开关性能和导通损耗特性,适用于高效率、高频率的电力电子应用。MCMA25PD1200TB采用双管(Dual)拓扑结构,内部集成了两个SiC MOSFET器件,支持双向功率流动,适用于逆变器、DC-DC转换器、功率因数校正(PFC)等电路。
类型:SiC MOSFET功率模块
额定漏源电压(VDS):1200V
额定漏极电流(ID):25A(连续)
导通电阻(RDS(on)):典型值约60mΩ
封装形式:双列直插式封装(Dual Inline Package, DIP)
工作温度范围:-40°C至+175°C
绝缘耐压等级:2500Vrms(模块外壳与内部器件之间)
热阻(Rth(j-c)):约1.2°C/W(结到外壳)
短路耐受能力:支持短时间短路运行
MCMA25PD1200TB模块的核心特性之一是其基于SiC的MOSFET技术,相较于传统的硅基IGBT或MOSFET,SiC器件具有更高的击穿电场强度、更高的热导率和更低的开关损耗。这种特性使得MCMA25PD1200TB适用于高频开关应用,显著提升系统效率并减少散热需求。此外,该模块采用双管结构,允许设计者灵活配置为半桥、同步整流器或双向功率开关等拓扑结构,满足多种电力电子变换器的需求。
该模块还具备良好的热管理性能,其低热阻特性确保在高功率密度应用中仍能维持较低的结温,提高系统可靠性和寿命。模块外壳采用高绝缘材料封装,具备优异的电气隔离性能,可承受高达2500Vrms的绝缘耐压,确保在高压环境下的安全运行。
MCMA25PD1200TB在制造工艺上采用了高可靠性焊接技术,确保内部芯片与引线之间的连接稳定,适用于工业级和汽车级应用环境。其宽广的工作温度范围(-40°C至+175°C)使其能够在极端温度条件下稳定运行,适用于高要求的工业自动化、电动汽车充电设备、储能系统等场景。
MCMA25PD1200TB模块广泛应用于需要高效能功率转换的领域,包括但不限于:电动汽车(EV)充电系统、储能逆变器、工业电源、高频DC-DC转换器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)以及功率因数校正(PFC)电路。由于其优异的开关性能和低导通损耗,该模块特别适合用于高频、高效率的拓扑结构,如LLC谐振变换器、同步整流电路以及双向DC-DC变换器。
在电动汽车充电设备中,MCMA25PD1200TB可用于实现高效率的AC-DC和DC-DC转换,提升整体充电效率并减少系统尺寸。在可再生能源领域,如光伏逆变器,该模块能够实现更高的转换效率和更紧凑的设计。此外,该模块也适用于工业电机驱动和智能电网设备,提供更高的系统可靠性和更长的使用寿命。
CMF20120D(Cree/Semikron)、SCT3040KL(ROHM)、SiC MOSFET 1200V/30A模块(Infineon、ON Semiconductor等品牌均有类似产品)