电容：4.7μF
　　额定电压：10V
　　封装尺寸：0805（2012 公制）
　　温度系数：X5R
　　容差：±20%
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C

TCD51E2A475M 是一款多层陶瓷电容器，采用 X5R 温度系数，具有良好的温度稳定性，其电容值随温度变化的范围为 ±15%。在工作温度范围内（-55°C 至 +85°C），其性能保持稳定，适合在多种环境下使用。此外，该电容器具有较高的体积效率，能够在有限的空间内提供较大的电容量，适用于高密度电路设计。
　　这款电容器还具备较低的等效串联电阻（ESR）和良好的高频特性，能够有效滤除电源噪声，提高电路的稳定性。由于其陶瓷介质的特性，TCD51E2A475M 还具有较强的耐电压能力和较低的漏电流，适合用于去耦和旁路应用。
　　然而，需要注意的是，该电容器的电容值会随着施加的直流偏置电压而发生变化，因此在设计时应考虑电压对电容值的影响，以确保电路的正常运行。

TCD51E2A475M 广泛应用于各类电子设备中，尤其是在需要去耦、旁路或滤波功能的电路中表现优异。该电容器常用于电源管理电路、DC-DC 转换器、稳压器输出滤波、数字集成电路的电源引脚去耦等场合，有助于减少电源噪声、提高电源稳定性和改善信号完整性。此外，它也适用于便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）和消费类电子设备（如电视、音响系统）中的电源滤波和信号处理电路。
　　在通信设备中，TCD51E2A475M 可用于射频（RF）电路的旁路和滤波，确保高频信号的纯净度。在工业控制系统和汽车电子中，该电容器也常用于传感器信号调理、微控制器供电去耦等场景，确保系统稳定运行。

GRM21BR61C475KE05#; C1608X5R1C475K080AC