MCMA110PD1200TB 是由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的一款碳化硅(SiC)功率模块,适用于高效率、高频率的功率转换应用。该模块集成了两个SiC MOSFET,采用双管封装设计,具有低导通电阻和开关损耗,适合于工业电源、电动汽车充电器、太阳能逆变器等高性能电力电子系统。
类型:碳化硅MOSFET模块
配置:双管(Dual)
最大漏源电压(Vds):1200V
最大漏极电流(Id):110A
导通电阻(Rds(on)):11mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:双列直插式封装(DPak)
安装方式:通孔安装
热阻(Rth):0.32°C/W(典型值)
MCMA110PD1200TB 的核心优势在于其采用了碳化硅(SiC)技术,这使得该模块相比传统的硅基IGBT模块在性能上有显著提升。首先,SiC材料的宽禁带特性允许器件在更高的温度和更高的电压下工作,同时保持较低的导通和开关损耗。这对于需要高效率和高可靠性的应用至关重要。
其次,该模块的双管结构设计使其适用于半桥、全桥以及图腾柱拓扑结构,广泛用于AC-DC、DC-DC和DC-AC的功率转换系统。其11mΩ的低导通电阻不仅降低了导通损耗,还提高了系统的整体效率。
此外,MCMA110PD1200TB具有较高的热稳定性,其热阻仅为0.32°C/W,这使得模块在高功率密度应用中能够有效散热,保持稳定的工作温度。模块的工作温度范围为-55°C至175°C,适应了工业环境下的极端温度条件。
该模块还具有良好的短路耐受能力,能够在短时间的过载或短路条件下保持器件的完整性,提高了系统的安全性和可靠性。
MCMA110PD1200TB 主要应用于需要高效能和高功率密度的电力电子系统中。例如,在工业电源中,该模块可用于高频开关电源的设计,提高电源效率并减小体积;在电动汽车充电桩中,它可用于DC-AC逆变器或AC-DC整流器,提升充电效率和功率密度;在太阳能逆变器中,MCMA110PD1200TB的高效开关特性可显著提升逆变器的整体能效,从而增加太阳能系统的发电能力。此外,该模块还可用于储能系统、电机驱动器以及各种类型的电力调节设备。
SCT3045KL、CAS120M12BM2、CMF1200110D