IXTH15N80是一款由Littelfuse(原IXYS公司)制造的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高功率开关应用。这款MOSFET具有高电压和中等电流能力,适用于工业控制、电源转换、电机驱动等多种电子系统。IXTH15N80采用TO-247封装,具有良好的散热性能,能够在较高的工作温度下保持稳定。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):800V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):15A
工作温度范围:-55°C至+150°C
导通电阻(Rds(on)):0.55Ω
栅极电荷(Qg):90nC
输入电容(Ciss):1300pF
封装形式:TO-247
IXTH15N80具有优异的开关性能和低导通电阻,能够有效降低导通损耗并提高系统效率。
该器件的高耐压能力(800V)使其适用于高电压输入环境,例如AC/DC电源转换器和光伏逆变器。
采用TO-247封装,具有良好的散热性能,适合在高功率密度设计中使用。
其栅极驱动要求适中,可与常见的MOSFET驱动器兼容,简化了设计过程。
该MOSFET具有较高的热稳定性,能在较高温度下持续工作,增强了系统的可靠性和寿命。
IXTH15N80广泛应用于多种高功率电子系统,包括工业电源、开关电源(SMPS)、光伏逆变器、电机驱动器、UPS系统以及高电压DC/DC转换器。
在开关电源中,该器件用于主开关拓扑,例如反激式、正激式或半桥结构,以实现高效能的能量转换。
在工业电机控制和驱动器中,IXTH15N80可用于H桥电路或高频PWM控制,提供稳定可靠的功率开关性能。
此外,该器件也适用于需要高电压耐受能力的新能源系统,如太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
IRF840、STP15NK80Z、FQA16N80、IXTK15N80