IXTH15N80 时间：2025/8/5 16:28:30 阅读：36

IXTH15N80是一款由Littelfuse（原IXYS公司）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。这款MOSFET具有高电压和中等电流能力，适用于工业控制、电源转换、电机驱动等多种电子系统。IXTH15N80采用TO-247封装，具有良好的散热性能，能够在较高的工作温度下保持稳定。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：800V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：15A
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　导通电阻(Rds(on))：0.55Ω
　　栅极电荷(Qg)：90nC
　　输入电容(Ciss)：1300pF
　　封装形式：TO-247

特性

IXTH15N80具有优异的开关性能和低导通电阻，能够有效降低导通损耗并提高系统效率。
　　该器件的高耐压能力（800V）使其适用于高电压输入环境，例如AC/DC电源转换器和光伏逆变器。
　　采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。
　　其栅极驱动要求适中，可与常见的MOSFET驱动器兼容，简化了设计过程。
　　该MOSFET具有较高的热稳定性，能在较高温度下持续工作，增强了系统的可靠性和寿命。

应用

IXTH15N80广泛应用于多种高功率电子系统，包括工业电源、开关电源（SMPS）、光伏逆变器、电机驱动器、UPS系统以及高电压DC/DC转换器。
　　在开关电源中，该器件用于主开关拓扑，例如反激式、正激式或半桥结构，以实现高效能的能量转换。
　　在工业电机控制和驱动器中，IXTH15N80可用于H桥电路或高频PWM控制，提供稳定可靠的功率开关性能。
　　此外，该器件也适用于需要高电压耐受能力的新能源系统，如太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。