MCMA110P1800TA是一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于高功率和高频应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,适用于如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器等电路设计。MCMA110P1800TA采用先进的制造工艺,确保在高电流和高电压下仍能保持稳定的工作性能。
类型:功率MOSFET
漏源电压(Vds):1800V
连续漏极电流(Id):110A
导通电阻(Rds(on)):典型值约0.15Ω
栅极电荷(Qg):约200nC
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-264 或类似高功率封装
最大耗散功率(Ptot):约400W
MCMA110P1800TA的主要特性包括高电压和大电流承载能力,使其适用于高功率应用。其低导通电阻有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有快速开关能力,适用于高频工作环境,从而减少开关损耗并提高响应速度。MCMA110P1800TA还具备良好的热稳定性,能够在高温条件下稳定工作,确保系统可靠性。
该MOSFET的封装设计优化了散热性能,便于安装在散热片上,从而有效管理热量。同时,其坚固的结构和优良的电气特性使其在严苛的工业环境中具有良好的耐久性和稳定性。MCMA110P1800TA还具有较高的抗雪崩能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定运行。
MCMA110P1800TA广泛应用于高功率电子设备中,例如电力电子变换器、电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电焊机等。此外,该器件还可用于高频开关电源和DC-DC转换器,以实现高效能的能量转换。在工业自动化和电机控制领域,MCMA110P1800TA可用于高电流开关控制,提高系统的整体效率和稳定性。此外,它也可用于汽车电子系统,如电动车辆的功率管理系统和电池充电电路。
IXFH110N18T | STP110N18C5 | FGP110N18DTU