MCH6628-TL-E 时间：2025/9/21 7:48:50 阅读：7

MCH6628-TL-E是一款由Magnachip Semiconductor生产的高性能、低功耗的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（P-Channel MOSFET），采用先进的TrenchMOS技术制造，适用于高效率电源管理应用。该器件封装在小型化的SOT-723封装中，具有极低的导通电阻和优良的热性能，适合用于便携式电子设备中的负载开关、电池供电系统以及电源路径管理等场景。由于其小尺寸和高集成度，MCH6628-TL-E广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对空间要求严格的消费类电子产品中。该MOSFET设计优化了栅极电荷与导通电阻之间的平衡，在确保快速开关响应的同时降低了动态功耗，提升了整体能效。此外，它具备良好的抗静电能力（ESD）保护，增强了在实际应用中的可靠性。工作温度范围通常为-55°C至+150°C，满足工业级与消费级产品的环境适应性需求。

参数

型号：MCH6628-TL-E
　　类型：P-Channel MOSFET
　　连续漏极电流（ID）：-300mA
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：550mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：650mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.4V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：90pF @ VDS = 10V
　　开关时间（上升/下降）：约10ns / 8ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-723

特性

MCH6628-TL-E采用了Magnachip先进的TrenchMOS工艺技术，这种结构通过在硅片上构建垂直导电沟道，显著降低了器件的导通电阻，同时保持较小的芯片面积，从而实现了高电流密度与低功耗特性的统一。其P沟道设计使得在高端开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现简单的驱动控制，简化了电源管理系统的设计复杂度。该器件的关键优势之一是极低的静态电流消耗，特别适合于待机模式或低功耗运行状态下的电源切断功能。
　　该MOSFET的SOT-723封装仅有约2mm x 2mm的占地面积，非常适合高度集成的PCB布局，尤其在追求轻薄化设计的移动终端产品中具有重要价值。尽管体积小巧，但其散热性能经过优化设计，能够在有限的空间内有效传导热量，避免因局部温升过高而导致性能下降或寿命缩短。此外，器件内部结构经过严格筛选和测试，具备较强的抗闩锁能力和抗瞬态过压冲击能力，提升了系统在异常工况下的稳定性。
　　在电气特性方面，MCH6628-TL-E表现出优异的开关速度与稳定的阈值电压控制，确保在不同负载条件下都能实现可靠的导通与关断操作。其较低的栅极电荷（Qg）减少了驱动所需的能量，有助于降低控制器的负担并提升整体转换效率。该器件还具备良好的体二极管反向恢复特性，减少了在感性负载切换过程中可能出现的电压尖峰问题，提高了系统的电磁兼容性（EMC）表现。综合来看，MCH6628-TL-E是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的理想选择，适用于现代便携式电子设备中的精密电源控制需求。

应用

MCH6628-TL-E主要应用于需要高效能、小尺寸P沟道MOSFET的各类便携式电子设备中，典型用途包括手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中的电源开关与负载切换电路。其常被用作电池供电系统的通断控制元件，例如在主电源与备用电源之间进行切换，或用于关闭非必要模块以节省电能。此外，该器件也适用于低压直流电源管理单元中的过流保护与热插拔控制功能，能够防止启动过程中的浪涌电流损坏后续电路。
　　在音频信号路径管理中，MCH6628-TL-E可用于静音控制或通道选择，利用其低导通电阻减少信号衰减，保证音质清晰度。在传感器模块供电管理中，它可以作为独立的电源门控开关，按需开启或关闭传感器电源，延长设备续航时间。另外，由于其具备良好的温度稳定性和长期可靠性，也被广泛用于工业手持设备、医疗监测仪器以及物联网节点等对安全性和稳定性要求较高的场合。总而言之，凡是需要小型化、低功耗、高可靠性的P沟道开关解决方案的应用场景，MCH6628-TL-E均能提供有效的技术支持。