PFB160N10S 时间：2025/8/6 22:17:38 阅读：28

PFB160N10S是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，主要设计用于高电流、高效率的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于汽车电子、工业电机控制、电源转换器、电池管理系统等领域。PFB160N10S的封装形式为PowerFLAT 5x6，具备良好的散热能力和空间利用率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：160A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.4mΩ @ VGS = 10V
　　栅极电荷（Qg）：78nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

PFB160N10S MOSFET具有多项高性能特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS = 10V时典型值为5.4mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式结构，使得在高电流条件下依然保持良好的稳定性和可靠性。
　　此外，PFB160N10S具备优异的热管理性能，其PowerFLAT 5x6封装支持双面散热，有效降低了热阻，提高了器件在高负载条件下的工作稳定性。该器件的栅极电荷（Qg）仅为78nC，有助于降低开关损耗，提高开关频率下的能效表现。
　　在可靠性方面，PFB160N10S通过了严格的汽车级认证，具备良好的抗雪崩能力和过载能力，适用于对可靠性要求极高的汽车电子和工业控制应用。其工作温度范围为-55°C至175°C，可在极端环境条件下稳定运行。

应用

PFB160N10S广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中，包括电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电机控制器等。在工业领域，该MOSFET适用于服务器电源、电信设备、不间断电源（UPS）、光伏逆变器以及高性能开关电源（SMPS）设计。
　　此外，由于其出色的导通和开关性能，PFB160N10S也常用于电机驱动、电动工具、机器人控制系统以及智能家电中的功率控制模块。该器件的高可靠性和耐久性使其成为各种严苛环境应用的理想选择。