型号：MCH6622-TL-E
　　类型：P沟道
　　最大漏源电压(VDSS)：-20V
　　最大栅源电压(VGSS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-2.3A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-4.6A
　　导通电阻RDS(on)：35mΩ @ VGS = -4.5V；45mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压(Vth)：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：330pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：280pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间(td_on)：8ns
　　关断延迟时间(td_off)：18ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-723

MCH6622-TL-E采用了Magnachip成熟的沟槽式MOSFET工艺，具备出色的电气性能和稳定性。其核心优势在于低导通电阻与低栅极电荷之间的良好平衡，这使得器件在高频开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。该器件在-4.5V栅压下的RDS(on)仅为35mΩ，在-2.5V条件下也仅达到45mΩ，表明其具备优异的低压驱动能力，非常适合由3.3V或更低逻辑电平直接驱动的场合，无需额外的电平转换电路。
　　此外，MCH6622-TL-E的输入电容（Ciss）为330pF，输出电容（Coss）为280pF，反向传输电容（Crss）低至50pF，这些参数有助于减少开关过程中的能量损耗并抑制噪声干扰，提高系统的EMI性能。器件的阈值电压范围控制在-0.6V至-1.0V之间，确保了稳定的开启行为，避免因阈值漂移导致的误触发问题。同时，其快速的开关响应时间（开启延迟8ns，关断延迟18ns）使其适用于高速电源切换和负载管理应用。
　　在可靠性方面，MCH6622-TL-E通过了严格的AEC-Q101认证测试，具备优良的抗静电能力和长期工作稳定性。其SOT-723超小型封装不仅占位面积小（约2mm×2mm），而且具有良好的散热性能，能够在紧凑布局中保持较低的工作温升。器件支持-55°C到+150°C的宽结温范围，适应各种严苛环境下的使用需求。综合来看，MCH6622-TL-E凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代便携式电子设备中不可或缺的关键元器件之一。

MCH6622-TL-E主要应用于各类便携式消费类电子产品中的电源管理模块。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的电池供电切换、USB接口电源控制、背光LED驱动电路以及各类传感器的电源使能控制。由于其具备低导通电阻和低压驱动特性，常被用作负载开关来实现不同功能模块的上电时序控制和节能待机管理，有效延长电池续航时间。
　　在通信设备中，该器件可用于SIM卡接口电源管理、Wi-Fi/蓝牙模组的供电控制等场合。在工业控制和物联网终端设备中，MCH6622-TL-E可作为微控制器外围电路的电源开关，实现对射频模块、存储器或其他外设的独立供电控制，提升系统的安全性和能效表现。
　　此外，该器件也适用于各类DC-DC转换器的同步整流或高端开关配置，尤其在降压型变换器中作为上管使用时，能够有效降低导通损耗，提高转换效率。其小型化封装特性使其特别适合高密度PCB布局设计，广泛用于可穿戴设备、TWS耳机、智能手表等对空间极为敏感的产品中。同时，由于其良好的热稳定性和抗干扰能力，也可用于汽车电子中的非动力域低压控制系统，如车载信息娱乐系统的电源管理单元。

MCH6614-TL-E
　　MCH6602-TL-E
　　AON7406
　　AO8810