制造商：MACOM
　　产品型号：MCH6610-TL-E
　　器件类型：NPN型异质结双极晶体管（HBT）
　　工艺技术：硅锗碳化物（SiGe:C）
　　封装形式：裸片（Die）
　　工作频率范围：24 GHz 至 43.5 GHz
　　典型增益：18 dB @ 28 GHz
　　噪声系数：2.2 dB @ 28 GHz
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：3.5 V（典型值）
　　最大集电极电流（IC,max）：35 mA
　　特征频率（fT）：约 120 GHz
　　最大功率附加效率（PAE）：约 25% @ 28 GHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　静电放电（ESD）等级：Class 1（HBM）

MCH6610-TL-E基于MACOM成熟的硅锗碳化物（SiGe:C）异质结双极晶体管技术，具备出色的高频性能和稳定性。其核心优势在于能够在毫米波频段（如K-band和Ka-band）实现高增益与低噪声的完美结合，典型增益可达18 dB，在28 GHz频率下噪声系数仅为2.2 dB，确保信号链前端具有优异的灵敏度和动态范围。该器件的特征频率（fT）高达约120 GHz，支持其在43.5 GHz以下的宽带应用中保持良好增益平坦度，适用于宽带低噪声放大器（LNA）、混频器驱动级以及中等功率放大级。
　　由于采用SiGe:C工艺，MCH6610-TL-E不仅具备传统硅工艺的成本和集成优势，还拥有接近砷化镓（GaAs）甚至磷化铟（InP）器件的高频性能，同时避免了III-V族材料在可靠性和热管理方面的挑战。该器件的热稳定性优异，可在-55°C至+150°C的结温范围内稳定工作，适合部署于户外基站、航空航天及国防系统等高温或极端温度环境中。
　　MCH6610-TL-E以裸片形式提供，允许用户通过金丝键合（wire bonding）或倒装芯片（flip-chip）方式集成到陶瓷基板或多层PCB上，极大提升了高频电路布局的灵活性和寄生参数的可控性。其小尺寸特性有助于构建紧凑型模块，适用于相控阵雷达、毫米波成像系统和高密度无线接入点等空间受限的应用场景。此外，该器件具备良好的线性度和三阶交调点（IP3），可有效减少非线性失真，提升系统整体信号质量。
　　在可靠性方面，MCH6610-TL-E经过严格的工艺控制和老化测试，符合军用和工业级标准，具备较强的抗辐射能力和长期运行稳定性。其ESD防护等级达到HBM Class 1，建议在使用时采取适当的防静电措施以保障器件安全。总体而言，MCH6610-TL-E是一款面向未来毫米波通信和感知系统的高性能有源器件，为工程师提供了在高频段实现高性能模拟前端设计的关键解决方案。

MCH6610-TL-E广泛应用于需要高频、低噪声放大的先进射频系统中。典型应用场景包括24 GHz以上的毫米波雷达系统，例如汽车雷达中的远程探测模块、工业传感雷达以及无人机避障系统，其高增益和低噪声特性有助于提升目标检测精度和距离分辨率。在5G及未来6G通信基础设施中，该器件可用于毫米波基站的射频前端模块，作为低噪声放大器或驱动放大器，支持28 GHz和39 GHz等主流频段的高速数据传输。
　　此外，MCH6610-TL-E适用于点对点和点对多点无线回传链路，尤其是在E-band（71–76 GHz / 81–86 GHz）前端下变频链路中的本振缓冲或中频放大环节，能够显著改善接收灵敏度。在卫星通信和低轨（LEO）星座系统中，该器件可用于小型化地面终端的射频收发模块，满足高吞吐量、低延迟通信需求。
　　在测试与测量设备领域，MCH6610-TL-E可用于高频信号发生器、频谱分析仪和网络分析仪的内部放大电路，提升仪器在毫米波频段的响应性能。其裸片形式也使其成为混合信号模块、多芯片封装（MCM）和片上系统（SoP）设计中的关键组件，适用于航空航天、国防电子战系统和高可靠性通信平台。凭借其宽频带响应和稳定的温度性能，MCH6610-TL-E在需要长期无人值守运行的远程监测站和野外部署系统中表现出色。

MAMX0110NT4
　　MAMK-011020
　　MAAP-011045