电容值：220pF
　　容差：±10%
　　介质材料：NP0（COG）
　　额定电压：50V
　　封装类型：1210（3225公制）
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　电介质特性：Class I（稳定型）
　　损耗因子（DF）：低
　　绝缘电阻：高

MCDR1511NP-221K 的主要特性包括出色的温度稳定性，其电容值几乎不会随温度变化而改变，这使得它非常适合用于高精度电路。此外，该电容器具有低损耗特性，使其在高频应用中表现优异，能够有效减少信号失真和能量损耗。
　　其采用的NP0（COG）介质材料提供了良好的电气性能，包括低电容变化率和高绝缘电阻。50V的额定电压使其能够适应大多数低压和中压电路的需求，同时1210封装尺寸提供了足够的物理强度和焊接稳定性，适合表面贴装工艺（SMT）。
　　这款电容器还具有良好的机械强度和抗湿性能，能够在各种环境条件下可靠工作。由于其稳定的电气性能和广泛的适用性，MCDR1511NP-221K 常被用于工业控制设备、通信设备和消费电子产品中。

MCDR1511NP-221K 主要用于对电容稳定性要求较高的电路设计中，例如射频（RF）滤波器、振荡器和放大器电路。它也适用于需要精确电容值的精密模拟电路，如音频设备和测量仪器。此外，该电容器常用于通信设备中的信号处理模块，以确保高频信号的稳定传输。
　　在工业控制领域，MCDR1511NP-221K 可用于电源去耦和噪声抑制，帮助提高系统的整体稳定性和抗干扰能力。由于其优异的电气性能，它也被广泛应用于汽车电子系统，如车载娱乐系统、发动机控制单元（ECU）和传感器接口电路。
　　在消费电子产品中，该电容器可用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的射频模块，以优化无线信号的接收和发送性能。此外，它还可用于电源管理电路，提供稳定的滤波和储能功能。

GRM3195C1H221JA01D, C1608C0G1H221J080AA, CL10A221JQ8NNNC