电容值：1000pF（1nF）
　　容差：±10%
　　额定电压：100V
　　电介质材料：NP0（C0G）
　　封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　温度系数：0ppm/°C ±30ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　绝缘电阻：10,000MΩ最小
　　损耗因数（DF）：0.15%最大

MCDR1419NP-102K具有优异的电气稳定性，其NP0（C0G）电介质材料确保了电容值在温度变化时保持恒定。该电容器的容差为±10%，适合需要高精度的应用。此外，其额定电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种高电压应用场景。封装尺寸为1210，适合在空间有限的电路板上使用，同时保持良好的焊接可靠性和机械强度。该电容器还具有低损耗特性，使其在高频电路中表现出色，能够有效减少信号损耗和发热问题。
　　此外，MCDR1419NP-102K在制造过程中采用了多层陶瓷技术，确保了电容器的高可靠性和长寿命。其高绝缘电阻和低损耗因数（DF）使其在各种电子设备中具有良好的性能表现。该电容器符合RoHS标准，适合环保要求较高的电子产品设计。

MCDR1419NP-102K广泛应用于各种电子设备，如通信设备、工业控制系统、消费电子产品和汽车电子系统。在通信设备中，它常用于射频（RF）滤波器、振荡器和放大器电路，以确保信号的稳定性和清晰度。在工业控制系统中，MCDR1419NP-102K用于电源去耦和信号处理电路，以提高系统的可靠性和稳定性。在消费电子产品中，该电容器用于电源管理、音频放大器和传感器电路，以满足高精度和高稳定性的需求。在汽车电子系统中，MCDR1419NP-102K用于发动机控制单元（ECU）、车载娱乐系统和传感器接口电路，以应对严苛的工作环境。

GRM3195C1H102JA01D
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