时间：2025/9/6 4:40:36
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PST590INR 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的 STripFET? F7 技术。这款器件主要用于高功率和高效率的电源管理系统，如 DC-DC 转换器、电机控制、电源开关以及负载管理等应用。PST590INR 的设计优化了导通电阻（Rds(on)）和开关损耗，从而提高了整体系统效率，并减少了散热需求。该器件采用 DPAK（TO-252）封装，具有良好的热性能和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：11.5mΩ @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：85nC
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：DPAK（TO-252）
PST590INR MOSFET 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）降低了导通状态下的功率损耗，使得在高电流应用中仍能保持较高的效率。其次，该器件采用了先进的 STripFET? F7 技术，进一步优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，从而提升了整体系统能效。
此外，PST590INR 的最大漏极电流可达 60A，使其适用于高功率密度设计，例如电源适配器、电动工具和电动车控制系统。其高耐压能力（VDS=30V）确保了在多种电源拓扑结构中的稳定运行，包括同步整流、降压和升压转换器。
该器件的栅极电荷（Qg）为 85nC，具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，从而允许使用更小的电感和电容元件，减小系统尺寸。其 DPAK 封装具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作，提升了器件的可靠性和寿命。
最后，PST590INR 还具备较高的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了在严苛工况下的鲁棒性，适合工业和汽车电子等高要求应用。
PST590INR MOSFET 主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。常见应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源开关控制以及负载管理电路。在工业自动化、电动工具、电动车控制器、UPS（不间断电源）和电信电源系统中，PST590INR 都能提供高效的功率控制解决方案。此外，由于其良好的热管理和高频响应能力，该器件也广泛用于 LED 照明驱动器、太阳能逆变器和储能系统等绿色能源应用。
STL590N3LLF, IRF3710, FDP590N, IPB036N03LA
