PST590INR 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的 STripFET? F7 技术。这款器件主要用于高功率和高效率的电源管理系统,如 DC-DC 转换器、电机控制、电源开关以及负载管理等应用。PST590INR 的设计优化了导通电阻(Rds(on))和开关损耗,从而提高了整体系统效率,并减少了散热需求。该器件采用 DPAK(TO-252)封装,具有良好的热性能和可靠性。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):60A
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(Rds(on)):11.5mΩ @ VGS=10V
栅极电荷(Qg):85nC
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:DPAK(TO-252)
PST590INR MOSFET 具有多个显著的电气和热性能优势。首先,其极低的导通电阻(Rds(on))降低了导通状态下的功率损耗,使得在高电流应用中仍能保持较高的效率。其次,该器件采用了先进的 STripFET? F7 技术,进一步优化了开关性能,减少了开关过程中的能量损耗,从而提升了整体系统能效。
此外,PST590INR 的最大漏极电流可达 60A,使其适用于高功率密度设计,例如电源适配器、电动工具和电动车控制系统。其高耐压能力(VDS=30V)确保了在多种电源拓扑结构中的稳定运行,包括同步整流、降压和升压转换器。
该器件的栅极电荷(Qg)为 85nC,具有较快的开关速度,适用于高频开关应用,从而允许使用更小的电感和电容元件,减小系统尺寸。其 DPAK 封装具有良好的散热性能,能够在高温环境下稳定工作,提升了器件的可靠性和寿命。
最后,PST590INR 还具备较高的抗雪崩能力和短路耐受能力,增强了在严苛工况下的鲁棒性,适合工业和汽车电子等高要求应用。
PST590INR MOSFET 主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。常见应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、电源开关控制以及负载管理电路。在工业自动化、电动工具、电动车控制器、UPS(不间断电源)和电信电源系统中,PST590INR 都能提供高效的功率控制解决方案。此外,由于其良好的热管理和高频响应能力,该器件也广泛用于 LED 照明驱动器、太阳能逆变器和储能系统等绿色能源应用。
STL590N3LLF, IRF3710, FDP590N, IPB036N03LA