类型：MOS 栅极驱动器
　　封装类型：16 引脚 SOIC
　　供电电压范围：10V 至 20V
　　输出电流能力：高侧和低侧均支持 1.2A 峰值电流
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　传播延迟：小于 100ns
　　输入信号兼容性：3.3V 和 5V 逻辑电平
　　死区时间控制：内置
　　驱动方式：半桥驱动

MCD001AM 是一款双通道、高压、高速的栅极驱动器 IC，专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 设计。其采用高压工艺制造，能够承受高达 600V 的电压，适用于半桥拓扑结构中的高侧和低侧驱动应用。该器件的输入信号兼容 3.3V 和 5V 逻辑电平，使得其能够与各种控制器和 DSP 芯片无缝连接。MCD001AM 内置欠压锁定（UVLO）功能，确保在电源电压不足时关闭输出，防止功率器件误操作。此外，该芯片还具备短路保护和过温保护功能，提高了系统的可靠性。其传播延迟时间短，通常小于 100ns，确保了高频开关操作的精确性。芯片的高侧驱动器部分采用了自举供电方式，简化了电路设计，减少了外部元件数量。MCD001AM 采用 16 引脚 SOIC 封装，适用于工业级温度范围（-40°C 至 +125°C），适合在严苛环境中使用。

MCD001AM 主要用于需要高效率、高频率开关的电力电子系统中。常见的应用包括电机驱动器、DC-AC 逆变器、DC-DC 转换器、工业自动化设备、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等。由于其高可靠性和高性能，MCD001AM 也常用于需要高功率密度和高效率的开关电源设计中。

MCP1407T-M/SN, IR2104S, TC4420, UCC27211A, LM5101B