时间：2025/9/14 17:05:42
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BUK7227-100B,118 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench肖特基技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等高效率功率系统中。该 MOSFET 采用 DPAK 封装，具备良好的热管理和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：60 A（Tc=25°C）
导通电阻 Rds(on)：最大 2.2 mΩ（在 Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：130 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：DPAK（TO-252）
BUK7227-100B,118 的核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 时最大仅 2.2 mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其采用的 Trench MOS 技术不仅提升了导通性能，还增强了器件的雪崩能量承受能力，适用于高应力工作环境。
该 MOSFET 支持高达 60A 的连续漏极电流，在高功率应用中表现出色。其 ±20V 的栅极电压耐受能力提供了更高的驱动灵活性，同时具备良好的抗过压能力。DPAK 封装设计有助于快速散热，确保在高功率密度设计中的稳定性。
此外，BUK7227-100B,118 具有良好的热稳定性和可靠性，可在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车级应用。其内置的体二极管具有快速恢复特性，有利于提高系统在感性负载切换时的稳定性。
BUK7227-100B,118 主要用于高效率功率转换系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统等。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适用于需要高效率和高功率密度的工业和汽车电子应用。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及电动空调压缩机控制器等关键模块。在工业控制方面，常用于伺服驱动器、变频器和不间断电源（UPS）系统中。
此外，BUK7227-100B,118 也可用于太阳能逆变器、储能系统和高功率 LED 驱动器等绿色能源应用中，有助于提高系统整体效率和可靠性。
SiHF60N100E、IRF3710、FDP6030L、STP60NF06、BUK7Y27-100A
