MCC56-16I01是一款由Microsemi(现为Microchip Technology)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,专为高功率应用设计。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降特性,使其在电力电子应用中具有优异的性能表现。MCC56-16I01采用紧凑的封装设计,适用于需要高效率和高可靠性的工业控制、电机驱动和可再生能源系统。
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(Vce):1600V
最大集电极电流(Ic):56A
工作温度范围:-40°C至+150°C
封装类型:模块式封装
短路耐受能力:典型值为10μs
导通压降(Vce_sat):约2.1V(典型值,Ic=56A)
栅极驱动电压范围:-15V至+20V
MCC56-16I01 IGBT模块具有多项卓越特性,适用于高功率密度和高可靠性要求的应用场景。首先,其最大集电极-发射极电压为1600V,最大集电极电流可达56A,使其适用于中高功率的电力电子转换系统。模块的导通压降较低,典型值为2.1V,在高电流工作时能够有效降低功耗,提高整体系统效率。
该模块具备良好的短路耐受能力,典型短路耐受时间为10μs,能够在异常工作条件下提供更高的安全裕量,避免器件损坏。此外,MCC56-16I01的工作温度范围为-40°C至+150°C,适用于各种严苛环境下的运行,包括工业电机驱动、不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等应用。
在封装方面,MCC56-16I01采用模块式封装,结构坚固,热管理性能优异,能够有效传导和分散工作过程中产生的热量,提高长期运行的稳定性。其栅极驱动电压范围为-15V至+20V,兼容多种常见的IGBT驱动电路设计,便于集成到不同类型的控制系统中。
该模块还具备良好的电磁兼容性(EMC)性能,有助于减少高频开关过程中产生的电磁干扰,提高系统的稳定性和可靠性。其设计符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子设备的制造。
MCC56-16I01广泛应用于多个高功率电子系统中,包括工业电机控制、交流变频器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。在电机控制和变频器应用中,该模块能够实现高效、稳定的功率转换,并支持高频开关操作,提高系统响应速度和能效。在可再生能源系统中,如光伏逆变器,MCC56-16I01可用于将直流电转换为交流电并馈入电网,其高耐压和高电流能力确保系统在恶劣环境下的稳定运行。此外,在UPS系统中,该模块可支持快速切换和高效能量传输,保障关键设备在电力中断时的持续运行。
SKM50GB120D, FF50R12KS4P