容量：256MB
　　类型：SDRAM
　　数据速率：166MHz
　　电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　数据宽度：16位
　　行地址位数：13位
　　列地址位数：9位
　　刷新周期：64ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

H26M42104HPR 采用同步接口设计，使其能够与系统时钟同步，从而提升数据传输效率和系统整体性能。其166MHz的数据速率使其适用于需要快速存取的场景。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新模式，有效降低功耗，适用于便携式设备和低功耗应用场景。
　　这款DRAM芯片的256MB容量为中等存储需求提供了良好的平衡，适合嵌入式系统、工业控制设备、网络设备等多种应用场景。其TSOP封装形式具有较小的体积和良好的散热性能，便于在高密度电路板上布局。
　　此外，H26M42104HPR 支持多种工作模式，包括突发模式和低功耗模式，用户可根据具体应用需求灵活配置。其64ms的刷新周期确保了数据的稳定性和可靠性，适用于长时间运行的系统。

H26M42104HPR 常用于需要高性能和稳定存储的设备中，例如个人电脑、工业控制主板、网络路由器、交换机、嵌入式系统开发板等。此外，它也可用于音视频处理设备、智能家电、医疗电子设备等对内存性能有一定要求的应用场景。
　　在嵌入式系统中，该芯片可作为主存储器或缓存使用，提高系统的运行效率和响应速度。在网络设备中，它能够提供高速数据缓存功能，确保数据传输的稳定性和实时性。在工业控制领域，H26M42104HPR 可用于控制模块的数据存储和临时缓存，提升系统的工作稳定性。

IS42S16400J-6T, MT48LC16M16A2B4-6A, KM416S1630CT