类型：MOSFET模块
　　额定漏极电流（ID）：15A
　　最大漏源电压（VDS）：800V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.45Ω
　　栅极电荷（Qg）：典型值60nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：陶瓷双列直插封装（C-DIP）
　　绝缘等级：1500V DC
　　

MCC55-15I08 MOSFET模块具备多项高性能和高可靠性特性，适合苛刻环境下的应用。
　　首先，其高耐压能力（800V VDS）使其适用于高压功率转换系统，如开关电源（SMPS）、逆变器和UPS系统。该器件的低导通电阻（RDS(on)）为0.45Ω，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　其次，该模块采用了陶瓷双列直插封装（C-DIP），具备优异的热管理性能和机械稳定性，同时提供高达1500V DC的绝缘等级，确保在高电压环境下安全运行。该封装形式也增强了器件在极端温度和振动环境下的耐用性，适用于航空航天、军工等高可靠性要求的场景。
　　此外，MCC55-15I08具有宽广的工作温度范围（-55°C至+175°C），能够在极端温度条件下保持稳定性能，适用于高温或低温工业环境及车载电子系统。
　　该器件还具备快速开关特性，栅极电荷（Qg）仅为60nC，减少了开关损耗，提升了系统响应速度和效率，适用于高频开关应用。
　　最后，MCC55-15I08符合RoHS标准，支持绿色环保制造流程，广泛应用于高可靠性要求的工业和军事电子设备。

MCC55-15I08 MOSFET模块广泛应用于多个高可靠性与高功率需求的领域。
　　在工业自动化与控制系统中，该器件常用于电机驱动、电源管理模块以及高频开关电源（SMPS），其高效能与低导通损耗特性有助于提升系统能效并降低发热。
　　在航空航天与国防电子系统中，MCC55-15I08凭借其陶瓷封装和宽温域适应能力，被用于飞行控制系统、雷达电源模块、电子战设备和卫星电源调节系统。
　　此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、变频器、逆变器等电力电子设备中，作为主功率开关元件，确保系统在高压、高电流条件下稳定运行。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，MCC55-15I08可用于功率转换和控制模块，提供高可靠性和高效能表现。
　　由于其优异的绝缘性能和抗环境干扰能力，该模块也广泛应用于医疗设备、测试仪器和高精度工业测量系统中，确保设备在高压环境下安全可靠运行。

MCC55-12I08, MCC55-15I12, IXFH15N80Q, IRFP460LC