晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-26
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C至150°C

MCC26-12NO1B 的主要特性之一是其集成设计，将两个NPN晶体管封装在一个SOT-26封装中，从而减少了PCB布局的空间需求，并提高了电路设计的灵活性。SOT-26封装是一种小型化的表面贴装封装，适合高密度电路设计。
　　该器件的集电极-发射极电压（VCEO）为30V，最大集电极电流为100mA，适用于中等功率的放大和开关应用。其最大功耗为300mW，能够在较宽的温度范围内稳定工作，从-55°C到150°C，适合工业级和消费类应用。
　　MCC26-12NO1B 的电流增益（hFE）范围为110至800，具体数值取决于等级，这使得用户可以根据应用需求选择适当的增益配置。此外，该晶体管的增益带宽积（fT）为100MHz，能够支持高频信号放大应用。
　　由于其双晶体管结构，MCC26-12NO1B 特别适用于需要匹配性能的电路，例如差分放大器、推挽放大器和逻辑电平转换电路。这种集成设计不仅简化了电路设计，还提高了系统的可靠性和一致性。

MCC26-12NO1B 主要用于需要双晶体管配置的电子电路中。典型应用包括音频放大器中的推挽输出级、差分放大器的输入级、逻辑电平转换电路、开关电路以及模拟信号处理电路。由于其高频性能和紧凑的封装，MCC26-12NO1B 也广泛应用于便携式电子设备、通信设备、工业控制设备和消费类电子产品中。
　　在音频放大器设计中，MCC26-12NO1B 可以作为推挽放大器的输出级，提供高效的信号放大。在差分放大器中，两个晶体管可以配置为输入对，提供高增益和良好的共模抑制比。此外，该器件还适用于需要逻辑电平转换的应用，例如将微控制器的输出信号转换为适合驱动外部负载的电平。

MCC26-12NO1B 的替代型号包括MCC26-12NO1T、MCC26-12NOP、MCC26-12NO1T1G等。这些型号具有相似的电气特性和封装形式，可以根据具体应用需求进行选择。