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MCC200-12IO1 发布时间 时间:2025/8/6 6:30:37 查看 阅读:29

MCC200-12IO1是一款由Microsemi(现为L3Harris Technologies的一部分)制造的碳化硅(SiC)功率模块,专为高功率密度、高效率和高温工作环境而设计。该模块采用先进的碳化硅半导体技术,具有优异的导热性能和更高的开关频率能力,适用于各种高功率应用,如工业电源、可再生能源系统和电动汽车充电设备。MCC200-12IO1结合了高集成度和紧凑的封装设计,能够在苛刻的环境下提供可靠的性能。

参数

类型:碳化硅(SiC)功率模块
  最大集电极电流(IC):200A
  最大集射极电压(VCES):1200V
  导通压降(VCEsat):典型值约1.5V(@25°C)
  最大工作温度:150°C
  封装形式:双列直插式封装(Dual-in-line Package, DIP)
  封装材料:陶瓷绝缘材料
  安装方式:螺钉安装
  热阻(RthJC):约0.25°C/W
  绝缘等级:符合UL 94 V-0标准
  符合RoHS标准:是
  认证:IEC 60747-8、UL、CE、RoHS

特性

MCC200-12IO1的碳化硅技术使其在高频开关应用中表现出色,具有较低的开关损耗和导通损耗,从而提高了系统的整体效率。该模块的热阻较低,能够在高温环境下保持良好的散热性能,延长使用寿命并提升系统可靠性。此外,MCC200-12IO1采用陶瓷绝缘材料作为封装基板,具有出色的绝缘性能和机械强度,适用于高电压和高电流的应用场景。该模块还具有良好的抗电磁干扰(EMI)能力,能够在复杂的电磁环境中稳定工作。
  在设计上,MCC200-12IO1采用了紧凑的封装结构,减小了模块的体积和重量,便于在空间受限的系统中进行集成。其双列直插式封装结构支持快速安装和拆卸,提高了生产效率和维护便利性。模块内部集成了多个SiC MOSFET器件,简化了外部电路设计,减少了外围元件的数量,从而降低了系统的复杂性和成本。
  从应用角度来看,MCC200-12IO1适合用于工业电源、逆变器、电机驱动器、储能系统以及电动汽车充电设备等高功率电子系统。其高效率和高可靠性使其成为现代电力电子系统中的关键组件。

应用

MCC200-12IO1广泛应用于需要高功率密度、高效率和高可靠性的电力电子系统中。其主要应用领域包括工业电源、UPS不间断电源、光伏逆变器、储能系统、电机驱动器、电动汽车充电设备、轨道交通系统以及高功率开关电源。在这些应用中,MCC200-12IO1能够提供高效的电能转换和控制,满足高功率输出和高稳定性要求。

替代型号

MCC200-16IO1, MCC150-12IO1, SCT200-12HR

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