MCB40P1200LB-TUB是一款功率MOSFET模块,专为高电流和高电压应用设计。该模块采用先进的半导体技术,提供优异的导通和开关性能,适用于电力电子设备和工业控制系统。MCB40P1200LB-TUB采用坚固的封装设计,确保在高功率运行时的可靠性和稳定性。
类型:功率MOSFET模块
最大漏极电流:40A
最大漏极-源极电压:1200V
导通电阻:1.2Ω(典型值)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-247
安装方式:通孔安装
功率耗散:150W(最大值)
栅极阈值电压:4V至6V
短路耐受能力:有
封装材料:环氧树脂(UL认证)
符合RoHS标准:是
MCB40P1200LB-TUB具有多项先进的性能特点。其高耐压能力(1200V)和大电流容量(40A)使其适用于高压和高功率应用场景。该模块的低导通电阻(1.2Ω)有效降低了导通损耗,提高了整体效率。此外,其先进的封装技术提供了良好的散热性能,确保在高功率运行时保持较低的工作温度。MCB40P1200LB-TUB还具有较强的短路耐受能力,能够在瞬态故障条件下提供额外的安全裕度,提高系统的可靠性。该模块的栅极阈值电压范围为4V至6V,使其能够兼容多种驱动电路,方便集成到不同的应用系统中。由于其封装符合RoHS标准,MCB40P1200LB-TUB也满足现代电子设备对环保材料的要求。
MCB40P1200LB-TUB广泛应用于电力电子设备,如变频器、逆变器、开关电源和电机驱动系统。它也适用于工业控制系统中的功率管理模块、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等高功率应用场合。由于其高可靠性和优良的电气性能,该模块也可用于要求严格的工业和自动化设备中,如焊接机和电镀电源。
SKM40GB12T4ag, FF40R12KT4_B11