时间：2025/5/8 11:54:56
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MCASU21GSB7105KTNA01 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高频功率放大器芯片，专为高效率和宽带应用设计。该芯片采用了先进的GaN HEMT工艺，具有卓越的射频性能、高增益以及出色的线性度，适用于雷达、卫星通信、点对点微波链路等高性能射频系统。其封装形式紧凑，适合空间受限的设计。
型号：MCASU21GSB7105KTNA01
工作频率范围：2 GHz 至 20 GHz
增益：20 dB
饱和输出功率：35 dBm
电源电压：10 V 至 28 V
静态电流：400 mA
插入损耗：≤ 1.5 dB
回波损耗：≥ 15 dB
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：表面贴装
MCASU21GSB7105KTNA01 使用了氮化镓半导体材料，使其具备比传统硅基器件更高的击穿电压和热导率，从而实现更高的功率密度和更宽的工作带宽。
此外，该芯片内置匹配网络，简化了外部电路设计，同时优化了散热性能以确保长期可靠性。
它的低失真和高效率特性使得它非常适合需要高性能射频信号放大的应用场景。
另外，该芯片支持多级级联设计，便于进一步提升系统的整体增益与覆盖范围。
这款芯片主要应用于以下领域：
1. 军用及民用雷达系统
2. 卫星通信设备
3. 点对点微波无线传输
4. 测试测量仪器
5. 电子对抗设备
6. 高速数据链路
由于其宽广的工作频率范围和高功率输出能力，它成为众多复杂射频系统中的理想选择。
MCAW20GSB6915KTNX01
MCPAU22GSB7206KTNA02
