时间：2025/8/9 13:51:32
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2SK3674是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制等应用。该器件采用高密度单元设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，能够在高温环境下稳定工作。2SK3674通常封装在TO-220或TO-252等功率封装中，便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（Vds）：60V
最大栅极电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：最大值25mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
功耗（Pd）：150W
封装类型：TO-220、TO-252（具体视制造商而定）
2SK3674具备多项优良特性，适合高效率功率转换应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的高电流承载能力（Id=12A）和较高的最大工作电压（Vds=60V）使其适用于多种中高功率应用，如电源管理、马达驱动、电池充电器等。
此外，2SK3674具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其栅极驱动电压范围宽（通常为+10V至+20V），便于与各种驱动电路匹配。由于采用了先进的沟槽式MOSFET技术，该器件在高频工作条件下仍能保持良好的开关性能，减少开关损耗，提升整体系统性能。
2SK3674广泛应用于多种功率电子设备中，如DC-DC降压/升压转换器、开关电源（SMPS）、逆变器、马达驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统等。由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET特别适用于需要高效能和高可靠性的场合。
SiHF60N06EY-T1-E3、IRFZ44N、FDP60N06、2SK3562、2SK3564、2SK3695
