MCASH31LSB7473KTNA01 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和出色的热性能,能够显著提升系统的整体性能。
此型号属于安森美(onsemi)或其授权合作伙伴的产品系列,专为要求高能效和小尺寸设计的应用而优化。
类型:N沟道增强型MOSFET
额定电压(Vds):30V
额定电流(Id):60A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
栅极电荷(Qg):42nC
输入电容(Ciss):2290pF
漏源击穿电压(BVDSS):30V
最大工作结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:LFPAK88
MCASH31LSB7473KTNA01 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高频应用中提供更高的效率并减少功耗。
2. 出色的热性能,可支持更高的持续电流能力,从而实现更紧凑的设计。
3. 高速开关性能,得益于较低的栅极电荷 (Qg),使得开关损耗得以降低。
4. 增强的鲁棒性,具备优异的雪崩能力和短路耐受能力。
5. 符合 RoHS 标准,采用环保材料制造。
6. 提供卓越的 ESD 保护功能,确保在各种环境下的可靠性。
该芯片适用于以下应用场景:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的负载切换和保护电路。
3. 汽车电子系统中的电机驱动和电源控制。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 笔记本电脑和移动设备的充电解决方案。
6. 高效节能的家电产品,例如空调压缩机驱动等。
NTMFS4C626NL, IRF3205, AO3400A