时间：2025/5/6 20:42:43
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CSD18511KCS 是一款由德州仪器（TI）生产的 N 沯道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能电源转换应用。其封装形式为小外形晶体管-6（SOT-23），使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻：130mΩ
栅极电荷：4nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至150℃
CSD18511KCS 具有较低的导通电阻和栅极电荷，这使得它在高频开关应用中表现出色，能够显著降低传导损耗和开关损耗。同时，该器件还具备优异的热稳定性和可靠性，适合用于严苛的工作环境。
其小型化的 SOT-23 封装进一步提升了 PCB 布局的灵活性，同时降低了寄生电感对系统性能的影响。此外，该 MOSFET 的阈值电压经过优化，能够在较低的驱动电压下正常开启，从而简化了驱动电路设计。
CSD18511KCS 广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域中的多种电源管理场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电池保护电路和 LED 驱动等。凭借其出色的效率和紧凑的尺寸，特别适合便携式设备和高密度设计。
CSD18502KCS, CSD18509Q5A
