时间：2025/9/3 7:33:19
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MC74ACT259DR2是一种高速CMOS可寻址8位锁存器集成电路，由ON Semiconductor生产。该器件在功能上等同于标准74ACT259，采用SOIC封装，适用于各种数字电路应用。MC74ACT259DR2具有可寻址的输入端口，允许用户选择特定的锁存位进行数据存储，使其在多路数据管理中非常有用。
类型：CMOS锁存器
位数：8位
电源电压：4.75V至5.25V
最大时钟频率：100MHz（典型值）
输出类型：三态缓冲输出
封装类型：SOIC-16
工作温度范围：-40°C至+85°C
MC74ACT259DR2具有高速CMOS技术，提供出色的抗噪能力和稳定性。该器件的可寻址功能允许通过地址输入选择特定的锁存位，从而实现精确的数据存储和管理。此外，三态输出缓冲器支持总线驱动能力，使其能够方便地集成到更复杂的数字系统中。其低功耗设计和高输出驱动能力也使其在工业和消费类电子应用中非常受欢迎。
MC74ACT259DR2的工作电压范围为4.75V至5.25V，确保在各种电源条件下都能可靠运行。它的高速性能使其适用于需要快速数据锁存和传输的应用，例如通信设备和数据采集系统。
MC74ACT259DR2广泛应用于数字电路设计中，特别是在需要可寻址锁存功能的场景中。典型应用包括数据缓冲、地址解码、多路复用控制和工业自动化系统中的数据存储管理。该器件的三态输出特性使其能够轻松连接到共享总线结构，适用于需要多设备通信的系统。
74ACT259, MC74AC259, 74HC259
