MC508FB2 R 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的功率晶体管。该器件设计用于需要高电流和高电压处理能力的开关和放大应用。MC508FB2 R 采用 TO-220AB 封装,适用于各种工业和消费类电子设备中的功率控制应用。
类型:NPN 功率晶体管
集电极-发射极电压(Vce):100V
集电极-基极电压(Vcb):100V
发射极-基极电压(Veb):5V
集电极电流(Ic):8A
功率耗散(Ptot):60W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-220AB
MC508FB2 R 拥有优异的电气特性和热性能,适合在高功率条件下工作。其最大集电极-发射极电压为 100V,能够承受较高的电压应力,确保在各种电源和开关应用中的稳定性。该晶体管的最大集电极电流为 8A,能够在大电流负载下可靠运行。
此外,该器件的功率耗散为 60W,结合其良好的热阻特性,使其能够在较高的环境温度下正常工作。TO-220AB 封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片上,进一步提升其热管理能力。
MC508FB2 R 的增益(hFE)通常在 20 至 100 之间,根据不同的电流条件变化,确保在各种工作状态下都能提供足够的电流放大能力。其快速开关特性使其适用于高频开关电路,如 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理系统。
该晶体管还具有较高的短路和过载耐受能力,适用于需要高可靠性的工业控制和电源设备。此外,其封装设计符合 RoHS 标准,满足环保要求,适用于现代绿色电子产品设计。
MC508FB2 R 主要用于功率开关和放大电路中,常见于电源供应器、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制器和工业自动化设备。其高电流和高电压特性使其成为各种功率控制应用的理想选择。此外,它也广泛应用于音频放大器、电子负载和继电器驱动电路中。
在消费类电子产品中,MC508FB2 R 可用于电池充电器、LED 驱动器和家用电器的电机控制电路。在工业领域,它常用于 PLC(可编程逻辑控制器)、自动化生产线设备和工业机器人中的电源管理模块。
由于其高可靠性和良好的热性能,MC508FB2 R 也被广泛应用于汽车电子系统,如电动助力转向系统(EPS)、车载充电器和车身控制模块(BCM)。此外,它还可用于太阳能逆变器和风能控制系统中的功率转换电路,以提高能量转换效率。
TIP122, MJ15003G, BDW93C