时间：2025/6/18 11:37:17
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HHV1206R7222K631NSLJ 是一款高耐压、低功耗的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该芯片采用了先进的制程工艺，具有较低的导通电阻和较高的工作效率，能够显著减少系统能耗。
型号：HHV1206R7222K631NSLJ
封装形式：TO-252
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：6.5A
导通电阻(Rds(on))：0.72Ω
总功耗(Ptot)：140W
工作温度范围(Ta)：-55℃ 至 +150℃
存储温度范围(Tstg)：-65℃ 至 +175℃
HHV1206R7222K631NSLJ 的主要特性包括：
1. 高击穿电压设计，确保在高电压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻，有效降低导通损耗，提升系统效率。
3. 快速开关速度，适合高频应用场合。
4. 内置ESD保护功能，增强器件抗静电能力。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 良好的热性能表现，支持长时间稳定运行。
该芯片适用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)设计中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的逆变器模块。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理。
5. 工业控制设备中的电源管理单元。
6. 各类高压负载开关应用。
IRFP460, STP12NK50Z, FQA14P12AE
