时间：2025/9/14 0:33:29
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BUK964R2-60E,118 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench肖特基技术，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。其最大漏源电压（VDS）为60V，连续漏极电流（ID）可达190A，适用于高功率负载场景。
漏源电压(VDS)：60V
漏极电流(ID)：190A
导通电阻(RDS(on))：4.2mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：165nC
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263 (D2PAK)
工艺技术：Trench肖特基MOSFET
BUK964R2-60E,118 具有极低的导通电阻，确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统整体效率。
该器件采用先进的Trench MOSFET结构，具备出色的开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。
其高电流容量和优异的热管理能力，使得该MOSFET能够在高负载环境下稳定运行，延长了使用寿命并提高了系统可靠性。
此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态高电压条件下提供更好的保护，适用于电机控制、DC-DC转换器和负载开关等场景。
由于其采用D2PAK（TO-263）封装，散热性能良好，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和高效散热设计。
BUK964R2-60E,118 常用于电源管理、同步整流、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及汽车电子系统等高功率应用场景。
在汽车电子领域，该器件适用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、车载逆变器等模块。
工业自动化控制系统中，它可作为高电流负载的功率开关，广泛应用于工业电源、伺服驱动器和开关电源模块中。
此外，由于其优异的导通特性和高频响应能力，也适用于新能源领域的光伏逆变器和储能系统中的功率转换环节。
BUK964R4-60E,118; BUK964R6-60E,118; BUK964R8-60E,118
