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MC14569BD 发布时间 时间:2025/9/3 10:53:09 查看 阅读:11

MC14569BD是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的双通道、高压、高速MOSFET驱动器集成电路。该芯片专为需要高效驱动功率MOSFET或IGBT的应用而设计,具有高输出驱动能力和良好的抗干扰性能。MC14569BD采用双电源供电结构,上桥臂和下桥臂驱动电路分别由独立的电源供电,从而能够实现高电压应用中的电平转换功能。该芯片广泛应用于电机控制、DC-DC转换器、逆变器以及电源管理系统等领域。

参数

类型:高压高速MOSFET驱动器
  通道数:2通道(半桥驱动)
  工作电压(VDD):10V ~ 20V
  高压侧电压(VB-VS):最高可达600V
  输出电流(峰值):±600mA(典型值)
  传播延迟:110ns(典型)
  上升/下降时间:15ns / 10ns(典型)
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  封装形式:SOIC-16

特性

MC14569BD具有多项关键特性,确保其在各种高电压和高频率应用中稳定可靠地运行。首先,该芯片采用高压电平转换技术,允许高压侧(HS)和低压侧(LS)在不同电压域下工作,支持高达600V的电压应用,非常适合用于高电压系统的功率开关驱动。其次,该芯片具备较高的输出驱动能力,输出峰值电流可达±600mA,可以快速有效地驱动大功率MOSFET或IGBT器件,从而减少开关损耗,提高系统效率。
  此外,MC14569BD内置欠压保护(UVLO)功能,当供电电压低于设定阈值时,驱动输出将自动关闭,防止因电压不足导致的误操作或功率器件损坏。该芯片还具有良好的抗干扰能力,能够在电磁环境较复杂的工业和汽车应用中保持稳定运行。其封装形式为SOIC-16,具有良好的散热性能,适用于紧凑型设计。
  值得一提的是,MC14569BD的双电源供电结构使得高压侧和低压侧的电源可以独立配置,从而提高系统的灵活性和适应性。这种设计尤其适用于需要隔离或宽电压范围输入的应用场合。

应用

MC14569BD广泛应用于需要驱动高压功率MOSFET或IGBT的电力电子系统中。典型应用包括无刷直流电机(BLDC)驱动器、伺服电机控制器、工业逆变器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动车充电器以及各类DC-DC转换器等。由于其高电压耐受能力和良好的驱动性能,该芯片也常用于汽车电子系统中的电机控制和电源转换模块。此外,在家电领域,如变频空调、洗衣机等设备中,MC14569BD也被广泛采用作为功率开关的驱动器,以实现节能高效的运行效果。

替代型号

MC14569BDR2G, IR2110, IRS2104, LM5112, UCC27211

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