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MC13156DWR2 发布时间 时间:2025/7/23 22:37:40 查看 阅读:8

MC13156DWR2是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的高性能、低噪声、高线性度的射频混频器芯片,广泛应用于无线通信系统、接收机前端和频率转换电路中。该器件采用双平衡混频器结构,能够提供优异的端口隔离性能和低失真特性,适用于从几百千赫兹到几千兆赫兹的射频信号处理。MC13156DWR2采用TSSOP封装形式,便于表面贴装,适用于各种高性能射频应用。

参数

工作频率范围:50 kHz ~ 2000 MHz
  LO输入频率范围:50 kHz ~ 2000 MHz
  RF输入频率范围:50 kHz ~ 2000 MHz
  IF输出频率范围:DC ~ 500 MHz
  转换损耗:典型值6.5 dB
  LO驱动要求:0 dBm
  输入IP3:典型值 +15 dBm
  噪声系数:典型值 8 dB
  端口隔离度(RF-LO):>40 dB
  电源电压:+5V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

MC13156DWR2具备优异的射频性能,适用于多种通信系统中的频率转换应用。
  该芯片采用双平衡混频器架构,提供了良好的端口隔离性能,LO与RF之间的隔离度超过40dB,有助于减少本振信号对射频信号的干扰,提高系统的稳定性。芯片的转换损耗为6.5dB左右,属于低损耗混频器,有助于提高接收机的灵敏度。
  在非线性性能方面,MC13156DWR2表现出色,其输入三阶截点(IIP3)典型值为+15dBm,意味着该器件在高信号强度环境下仍能保持较低的互调失真,适用于多载波和高动态范围的接收系统。此外,该混频器具有较低的噪声系数,典型值为8dB,有助于保持接收信号的信噪比,提升整体系统性能。
  该芯片的LO驱动要求为0dBm,适配常见的本振源,降低了系统设计的复杂度。其工作频率覆盖范围广,RF、LO和IF端口均支持从50kHz到2000MHz的信号,适用于AM、FM、CDMA、GSM、Wi-Fi等多种无线通信标准。
  MC13156DWR2采用+5V单电源供电,便于与现有射频前端电路兼容。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境应用。TSSOP封装形式便于PCB布局和表面贴装,提高了制造效率和可靠性。
  综合来看,MC13156DWR2是一款性能优异、适用范围广的射频混频器芯片,适用于基站、测试设备、软件定义无线电(SDR)、无线接入点等高性能射频系统。

应用

MC13156DWR2广泛应用于各种射频和微波系统中,特别是在需要高性能混频的通信设备中。
  它常用于无线基站和接收机前端,实现射频信号到中频信号的下变频处理。其高线性度和低噪声特性使其特别适用于多载波通信系统,如CDMA、WCDMA、LTE等,可有效降低互调干扰,提高接收灵敏度。
  在测试测量设备中,该芯片可用于频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪等仪器中,作为频率转换模块,确保测试精度和动态范围。
  此外,MC13156DWR2也适用于软件定义无线电(SDR)平台,支持多种通信协议和频段的灵活切换,满足现代通信系统的多功能需求。
  在无线基础设施方面,该芯片可用于Wi-Fi接入点、微波链路和点对点通信系统中,实现高效、稳定的频率转换功能,提升系统整体性能。

替代型号

MC13155DWR2, SA612A, LT5517, AD8344

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