FN03B152K250PLG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于工业控制、消费电子和通信设备领域。其封装形式为 PLG,适用于表面贴装技术,从而节省了 PCB 空间并提高了散热性能。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:150A
导通电阻(典型值):2.5mΩ
栅极电荷:65nC
总电容(输入电容):2800pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:PLG
FN03B152K250PLG 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够在高电流条件下保持较低的功耗。
2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于高频开关电源设计。
3. 高雪崩能量耐受能力,增强了在恶劣条件下的稳定性。
4. 内置过温保护功能,可有效防止因过热导致的损坏。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
6. 封装形式紧凑,便于表面贴装和大规模生产。
7. 支持较宽的工作温度范围,适合各种工业环境。
FN03B152K250PLG 可用于以下应用:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 太阳能逆变器和 UPS 系统中的关键功率转换器件。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电动汽车和混合动力汽车的电力管理系统。
6. 各类需要高效功率控制的消费类电子产品。
IRF3710, FDP15N30, STP150N3LLH5