类型：ECL锁存器
　　位数：8位
　　供电电压：-4.5V至-5.5V（典型-5V）
　　输出类型：差分ECL输出
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装类型：16引脚SOIC（表面贴装）
　　最大工作频率：250MHz
　　传输延迟：约1.8ns
　　功耗：典型值约180mA

MC10H188DR采用ECL技术，具备极高的数据处理速度，其传输延迟低至1.8ns，适用于高频时钟和数据同步场景。芯片内部集成8个独立的D型锁存器，每个锁存器均可独立控制数据输入与输出。该器件采用差分信号输出结构，有效抑制共模噪声，提高信号完整性。此外，其宽温度范围设计（-40°C至+85°C）使其适合在工业环境中稳定运行。该芯片的16引脚SOIC封装形式便于PCB布局和自动化装配，适用于紧凑型高密度电路设计。
　　MC10H188DR的电源电压范围为-4.5V至-5.5V，典型工作电压为-5V，确保了在不同电源条件下仍能保持稳定性能。该芯片的输入端具有宽输入电压容限，支持兼容多种ECL电平标准，增强了与其他ECL电路的互操作性。此外，其输出驱动能力强，可直接驱动多个ECL负载，减少外围电路需求，提高系统集成度。
　　在功耗方面，MC10H188DR虽然属于高速双极型器件，但通过优化设计实现了较低的静态电流，典型值为180mA，适用于对功耗有一定要求的高性能系统。

MC10H188DR主要用于需要高速数据存储与传输的场合，如高速数据总线缓冲器、频率合成器、通信接口电路、高速计数器、FPGA与ASIC接口、高速数据采集系统等。该芯片特别适合于需要低延迟、高时钟频率和稳定数据锁存的高端工业与通信设备。例如，在光通信模块中，MC10H188DR可用于高速串行数据的并行化处理；在测试与测量设备中，可作为高速数据暂存器使用；在射频与微波系统中，常用于锁相环（PLL）和频率合成器中实现高速信号同步。
　　此外，该芯片也适用于高性能计算系统中的高速缓存控制、地址锁存及数据同步功能。其差分输出特性使其在抗干扰要求较高的环境中表现出色，例如在航空航天、军事电子、工业自动化等对可靠性要求严格的领域。

MC100H188FNG, MC10H168D, MC100H168D