时间：2025/12/26 18:53:24
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MBRS2545CT是一款由ONSEMI（安森美）生产的高性能表面贴装肖特基势垒整流二极管，采用双二极管共阴极配置，专为高效率电源转换应用设计。该器件以其低正向压降、快速开关响应和出色的热性能而著称，适用于需要高效能和紧凑布局的现代电子设备。MBRS2545CT采用TO-263（D2PAK）封装形式，具有良好的散热能力，适合在较高功率密度环境中使用。该二极管广泛应用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、续流与箝位电路等场合，尤其在便携式设备和通信电源系统中表现出色。其结构基于肖特基势垒技术，避免了传统PN结二极管的少数载流子存储效应，从而实现极快的反向恢复速度，显著降低开关损耗。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗浪涌电流能力和高温工作稳定性，能够在恶劣环境下可靠运行。
型号：MBRS2545CT
类型：双肖特基整流二极管（共阴极）
最大重复反向电压（VRRM）：45V
最大平均正向整流电流（IF(AV)）：15A（单个元件）
峰值正向浪涌电流（IFSM）：100A（8.3ms半正弦波）
最大正向压降（VF）：0.57V（典型值，@ IF=7.5A, TJ=25°C）
最大反向漏电流（IR）：0.5mA（@ VR=45V, TJ=25°C）
反向恢复时间（trr）：≤5ns（典型值）
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
安装方式：表面贴装
MBRS2545CT的核心优势在于其卓越的电学性能与热管理能力。首先，该器件采用了先进的肖特基势垒技术，使得其正向导通压降极低，在大电流工作条件下仍能保持较低的功耗，有效提升系统整体效率。例如，在7.5A电流下，典型正向压降仅为0.57V，相比传统快恢复二极管可显著减少发热问题，提高能源利用率。其次，由于肖特基二极管本质上是多数载流子导电器件，不存在少数载流子复合过程，因此其反向恢复时间极短（通常小于5ns），几乎无反向恢复电荷（Qrr），这使其非常适合高频开关应用，如同步整流、DC-DC降压变换器等，能够大幅降低电磁干扰（EMI）并减少开关节点振荡。
此外，MBRS2545CT采用TO-263表面贴装封装，具有较大的焊盘面积，便于PCB散热设计，提升了功率处理能力。该封装还支持自动化贴片工艺，适用于大规模生产。器件具备良好的热稳定性，在结温升高的情况下，正向压降变化较小，保证了长期工作的可靠性。同时，其高达150°C的最大结温允许其在高温工业环境或密闭空间中稳定运行。该二极管还具备较强的抗浪涌能力，可承受高达100A的瞬态浪涌电流，增强了系统对异常工况的容忍度。所有这些特性共同使MBRS2545CT成为高效率、高可靠性电源设计中的理想选择。
MBRS2545CT主要应用于各类需要高效整流与快速响应的电源系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于次级侧整流环节，特别是在低压大电流输出场景下，如计算机主板供电、笔记本适配器和服务器电源等，利用其低正向压降特性来减少传导损耗，提高转换效率。在DC-DC转换器中，尤其是在同步整流拓扑尚未普及或成本受限的设计中，MBRS2545CT作为自由轮询二极管或续流二极管使用，能够有效防止电感反电动势损坏主开关器件，同时加快能量释放过程，提升动态响应速度。
此外，该器件也广泛用于电池充电管理系统、太阳能微逆变器、LED驱动电源以及电信设备中的板级电源模块。在汽车电子领域，尽管其额定电压偏低限制了部分高压应用，但在车载信息娱乐系统、DC-DC转换模块及辅助电源中仍有广泛应用。其表面贴装封装形式特别适合高密度PCB布局，有助于缩小产品体积，满足便携式设备对小型化的需求。在电机驱动和逆变器电路中，MBRS2545CT可用于箝位保护，吸收感性负载断开时产生的反向电压尖峰，保护功率MOSFET或IGBT不受损害。总之，凡是要求低损耗、快恢复、高可靠性的整流场合，MBRS2545CT都是一个极具竞争力的解决方案。
SR25045PT
MBR2545CT
SB2545
STPS25L45U
