IDT6116LA120DB 是一款由 Integrated Device Technology (IDT) 公司生产的高性能 SRAM 芯片。该芯片属于低功耗静态随机存取存储器系列,主要面向需要快速访问和高可靠性的应用场合。其典型应用场景包括通信设备、网络路由器、数据缓冲、工业控制以及消费电子领域。
IDT6116LA120DB 提供了出色的性能与低功耗特性相结合的优势,使其成为对速度和能耗要求较高的系统的理想选择。此外,它支持多种供电电压范围,确保了在不同工作环境下的稳定性。
容量:16K x 8 bits
接口类型:同步
核心电压:3.3V
I/O 电压:3.3V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
访问时间:10ns
封装类型:TQFP
引脚数:44
数据宽度:8位
封装尺寸:10mm x 10mm
IDT6116LA120DB 的主要特点是其卓越的速度性能和较低的功耗水平。它的访问时间为 10 纳秒,这使得它能够满足高速系统的需求。同时,该器件采用了先进的 CMOS 工艺技术,从而实现了更低的待机功耗和动态功耗。另外,其宽泛的工作温度范围确保了在极端环境下依然可以稳定运行。
此外,IDT6116LA120DB 支持同步时钟操作,允许用户通过外部时钟信号来精确控制读写周期。这种同步机制不仅提高了系统的整体效率,还简化了设计过程中的时序管理。最后,该器件具有自刷新功能,在某些特定条件下可以进一步降低功耗。
这款 SRAM 芯片适用于多种高性能场景,例如高速缓存、网络交换机、路由器的数据缓冲、工业自动化控制系统中的临时数据存储等。由于其低功耗特性,也非常适合便携式或电池供电设备中对数据暂存有需求的应用。
同时,IDT6116LA120DB 在视频处理、图像捕捉及嵌入式系统等领域也有广泛用途。凭借其高可靠性和快速响应能力,能够为这些应用提供必要的数据存储支持。
IDT71V16LH12B, CY7C1041DV33