时间:2025/12/26 19:54:53
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MBRS130TRPBF是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管,专为高效率、低电压整流应用设计。该器件采用SOD-123封装,具有紧凑的尺寸和优良的热性能,适用于空间受限的便携式电子设备和高密度PCB布局。MBRS130TRPBF的额定平均正向整流电流为1.0A,最大重复反向电压为30V,表现出优异的开关特性与低正向压降,使其在高频开关电源、DC-DC转换器以及反向极性保护电路中表现突出。该二极管基于肖特基势垒技术,利用金属-半导体结实现快速开关响应,无少数载流子存储效应,因此反向恢复时间极短,显著降低开关损耗,提高系统整体效率。MBRS130TRPBF符合RoHS环保标准,并且为无铅(Pb-free)器件,支持绿色环保制造流程。其可靠的结构设计和稳定的电气性能,使其广泛应用于消费类电子产品、通信设备、笔记本电脑电源管理模块以及电池充电系统等场景。由于其表面贴装封装形式,适合自动化高速贴片生产,提升制造效率并降低成本。此外,该器件具备良好的抗浪涌电流能力,可在瞬态负载条件下保持稳定工作,增强了系统的可靠性。
类型:肖特基二极管
是否无铅:是
是否环保:是
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOD-123
通道数:1
最大平均正向整流电流:1 A
最大重复反向电压:30 V
最大正向压降:550 mV @ 1 A
最大反向漏电流:100 μA
最大反向恢复时间:5 ns
工作结温范围:-65℃ ~ +125℃
热阻:200℃/W(结至环境)
峰值非重复正向浪涌电流:30 A
MBRS130TRPBF的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构,该结构通过金属与N型半导体之间的势垒形成整流效应,避免了传统PN结二极管中存在的少子存储现象,从而实现了极快的开关速度和极短的反向恢复时间,典型值仅为5ns。这一特性使其在高频开关应用中表现卓越,例如在高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源中,能够显著减少因反向恢复引起的能量损耗和电磁干扰(EMI),提升转换效率并简化滤波电路设计。此外,其在1A电流下的最大正向压降仅为550mV,远低于普通硅二极管的0.7V~1.2V范围,这意味着导通损耗更低,发热更少,在电池供电设备中可有效延长续航时间。
该器件的SOD-123封装不仅体积小巧(约2.7mm x 1.8mm x 1.1mm),还具备良好的散热性能,结合200℃/W的结至环境热阻参数,可在有限空间内有效传导热量。其工作结温范围宽达-65℃至+125℃,适应严苛环境下的运行需求,如工业控制或汽车电子外围电路。MBRS130TRPBF还具备较强的抗浪涌能力,能承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流,增强了对输入端瞬态冲击的耐受性,提升了系统鲁棒性。器件符合IEC 61249-2-21标准中的无卤素要求,且不含铅,满足现代电子产品对环保和安全的严格规范。其高可靠性已在多个批量生产项目中得到验证,是替代传统低频整流二极管的理想选择。
MBRS130TRPBF广泛应用于需要高效、快速整流的各类电子系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流二极管,尤其是在低压大电流输出场景下,如5V或3.3V DC-DC转换器,其低正向压降有助于提高效率。它也常用于反向电压保护电路,连接在电源输入端以防止因电池接反而损坏后级电路,因其低功耗特性不会显著影响系统正常运行。在便携式设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中,该二极管可用于电池充放电管理路径中,实现高效的能量传递与隔离。此外,在AC-DC适配器、LED驱动电源、USB充电模块以及电信接口保护电路中也有广泛应用。由于其快速响应能力,还可作为高频信号检波或钳位元件使用。在电机驱动、继电器吸收回路及逆变器拓扑中,也可发挥其快速续流作用,减少电压尖峰对MOSFET等开关器件的应力冲击。其表面贴装特性使其非常适合自动化贴片生产线,适用于大规模电子产品制造。
MBRM130LT1G
SMS130T1G
RB168L-20
SS14-SM