时间：2025/12/26 22:15:43
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MBRF30100CTP是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高性能双肖特基势垒整流器，专为高效率、高电流密度的电源应用而设计。该器件采用中心抽头配置的双二极管结构，广泛应用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及续流和极性保护电路中。其主要优势在于低正向压降（VF），这有助于显著降低导通损耗，提高整体系统效率，尤其适用于对热性能和能效要求较高的应用场景。
MBRF30100CTP采用TO-277（DPAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产。该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen Free）特性，满足现代电子产品对环保与可靠性的双重需求。由于其高电流承载能力（最高可达30A）和100V的反向重复电压（VRRM），它在中等电压输出的电源拓扑中表现出色，尤其是在同步整流难以实现或成本过高的场合，提供了高效且经济的解决方案。
产品类型：双肖特基整流器
配置：中心抽头（Center Tap）
最大重复反向电压（VRRM）：100V
最大直流阻断电压（VR）：100V
平均整流电流（IO）：30A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（8.3ms单半波）
正向压降（VF）：0.94V（典型值，@ IF = 15A, Tc = 25°C）
最大工作结温（Tj）：150°C
存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
封装类型：TO-277（DPAK）
安装方式：表面贴装（SMD）
引脚数：3
MBRF30100CTP的核心特性之一是其卓越的电学性能，特别是在大电流工作条件下的低正向压降表现。在15A的工作电流下，典型正向压降仅为0.94V，远低于传统硅整流二极管，从而显著降低了导通期间的功率损耗。这种低VF特性对于提升电源系统的整体效率至关重要，尤其是在低输出电压、大电流输出的应用中（如12V转5V或3.3V的DC-DC变换器），能够有效减少发热，提升能效比。
该器件采用先进的肖特基势垒技术，结合优化的芯片设计和封装工艺，实现了优异的热管理能力。TO-277封装具有较大的裸露焊盘（exposed pad），可通过PCB上的热焊盘实现高效的热传导，将内部产生的热量迅速散发到电路板上，从而延长器件寿命并提高系统可靠性。此外，该封装支持回流焊工艺，适用于大规模自动化生产，提升了制造效率。
MBRF30100CTP具备良好的反向漏电流控制能力，在高温环境下仍能保持较低的IR值（典型值小于1.0mA @ VR = 100V, TJ = 125°C），确保在恶劣工作条件下仍具有稳定的整流性能。其快速开关特性意味着几乎无反向恢复时间（trr ≈ 0），避免了传统PN结二极管在高频开关过程中产生的反向恢复损耗和电磁干扰（EMI）问题，因此特别适用于高频开关电源环境。
该器件还具备较强的抗浪涌能力，可承受高达150A的峰值浪涌电流，增强了在启动或负载突变等瞬态工况下的鲁棒性。同时，其宽泛的工作结温范围（-65°C 至 +150°C）使其能够在极端温度环境下稳定运行，适用于工业、通信和汽车电子等多种严苛应用场景。
MBRF30100CTP广泛应用于需要高效率整流的中等电压直流电源系统中。典型应用包括服务器电源、电信设备电源、工业电源模块、笔记本电脑适配器以及DC-DC降压转换器中的次级侧整流电路。在这些应用中，由于输出电流较大且对效率要求极高，采用低VF的肖特基二极管可以显著减少能量损耗，降低散热需求，进而缩小整体电源体积。
在离线式反激（Flyback）或正激（Forward）拓扑中，MBRF30100CTP常用于次级侧的同步整流替代方案，尤其当同步整流控制器成本过高或设计复杂度受限时，该器件提供了一种简单可靠的高效率整流选择。此外，在电池充电系统、UPS不间断电源和太阳能逆变器中，该器件可用于防止电流倒灌和实现能量回馈路径的单向导通。
由于其表面贴装封装形式，MBRF30100CTP非常适合高密度PCB布局，广泛用于追求小型化和轻量化的现代电子设备中。在车载信息娱乐系统或辅助电源单元中，尽管其并非AEC-Q101认证器件，但在非严苛车载环境中也可作为高效整流元件使用。此外，该器件还可用于电机驱动电路中的续流二极管，以吸收感性负载断开时产生的反向电动势，保护开关器件免受电压尖峰损害。
MBR30100CTG
SB30100CT
STPS30L100CT
