时间：2025/6/24 8:38:08
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MBRF20L60CTG是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装形式。这款器件主要应用于需要高效率和低导通电阻的场景，例如开关电源、电机驱动器、DC-DC转换器等电力电子领域。其设计优化了导通电阻与开关性能之间的平衡，适合要求高可靠性和高效能的应用场合。
该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少传导损耗并提高整体效率。同时，其较高的雪崩击穿电压使其能够承受瞬态电压冲击，增强了系统的稳定性。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：20A
导通电阻：1.5Ω
栅极电荷：85nC
总电容：300pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
MBRF20L60CTG具备以下显著特性：
1. 高电压耐受能力（600V），适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻（1.5Ω），有助于降低功耗并提升系统效率。
3. 较高的雪崩击穿能力，提高了器件在异常条件下的可靠性。
4. 快速开关性能，减少了开关损耗。
5. 工作温度范围宽广（-55℃至+175℃），适应各种极端环境。
6. TO-247封装提供良好的散热性能，支持大功率应用。
MBRF20L60CTG广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 各类工业设备中的电机驱动电路。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
5. 电动车及电动工具的功率控制模块。
6. 高压负载切换和保护电路。
IRFP260N, STP20NF60, FDP067N65A
