时间：2025/8/24 22:42:45
阅读：9
MBRF20H200是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高电压、高电流双共阴极肖特基势垒整流器，专为高效率、高功率密度的电源应用设计。该器件采用双共阴极配置，允许两个输出通道共享一个公共阴极端，适用于多路输出电源、同步整流、DC/DC转换器和不间断电源（UPS）等应用。MBRF20H200具有低正向压降、高浪涌电流能力和高可靠性等优点，是高性能电源系统中理想的整流元件。
峰值反向电压：200V
平均整流电流（每元件）：20A
封装形式：TO-247
最大正向电压降（IF=20A）：0.55V（典型值）
最大反向漏电流（VR=200V）：100μA（最大值）
工作温度范围：-55℃至+175℃
存储温度范围：-55℃至+175℃
引线温度（焊接，10秒）：300℃
热阻（结到壳）：1.5℃/W
结电容：1000pF（典型值）
MBRF20H200具备多项优异特性，适用于高要求的电源系统设计。首先，其高达200V的峰值反向电压使其适用于高电压输入的电源转换系统，例如工业电源、服务器电源和电信设备电源。其次，每个整流元件可承受20A的平均整流电流，满足大功率输出的需求，同时双共阴极结构允许两个通道并联使用，提高系统的灵活性和可靠性。
该器件采用TO-247封装，具有良好的热管理和散热性能，能够有效降低温升，延长使用寿命。此外，MBRF20H200具有较低的正向压降（典型值为0.55V），有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。这对于高效率电源如LLC谐振转换器、同步整流模块和高密度DC/DC转换器尤为重要。
在可靠性方面，MBRF20H200具备高浪涌电流承受能力，能有效应对电源启动或负载突变时的瞬态电流冲击。其宽工作温度范围（-55℃至+175℃）也确保了在极端环境下的稳定运行，适用于航空航天、工业控制和高可靠性嵌入式系统等应用。
此外，该器件的低结电容（典型值1000pF）减少了高频开关时的寄生效应，适用于高频开关电源和同步整流拓扑结构，有助于提高系统的工作频率和减小磁性元件体积。
MBRF20H200广泛应用于各类高功率、高效率的电源系统中。常见应用包括服务器电源、通信电源（如48V转低压DC/DC模块）、不间断电源（UPS）、逆变器、工业电源模块、同步整流电路、LLC谐振转换器、PFC（功率因数校正）后级整流、车载电源系统和高密度AC/DC电源适配器等。由于其双共阴极结构，特别适合用于多路输出的DC/DC变换器中，作为次级整流器使用，以提高整体效率和减少热损耗。
此外，该器件也适用于需要高可靠性和长寿命的高端嵌入式系统和工业自动化设备中，作为主功率整流元件。其优异的热稳定性和低正向压降特性，使其在高频电源转换系统中表现出色，有助于实现更紧凑的电源设计和更高的能效标准。
MBR20H200CT、MBR20200CT、MBRF20H150、MBRF20H200CT
