类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A（@25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（@Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：8 引脚 SOIC/TSSOP

CPC7582BCTR 具有以下显著特性：
　　1. **低导通电阻（Rds(on)）**：CPC7582BCTR 的典型 Rds(on) 为 18mΩ，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高电源转换效率。在高电流应用中，低 Rds(on) 可以有效降低发热，提高系统稳定性。
　　2. **高电流能力**：每个通道可支持高达 8A 的连续漏极电流，适用于高功率负载的控制，如电机驱动、电源开关、DC-DC 转换器等。
　　3. **高速开关性能**：该器件具有较低的输入电容（Ciss）和较小的开关时间，使其能够在高频开关应用中表现出色，适用于同步整流、MOSFET 阵列和PWM控制等场合。
　　4. **双通道设计**：CPC7582BCTR 采用双路 N 沟道 MOSFET 结构，两个通道可以独立使用，也可以并联使用以提高电流能力，增强了设计的灵活性。
　　5. **封装优势**：采用 8 引脚 SOIC 或 TSSOP 封装，体积小巧，适合空间受限的设计，同时具备良好的热管理能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　6. **宽温度范围**：CPC7582BCTR 可在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内工作，适用于工业级和汽车电子等对环境温度要求较高的应用场景。

CPC7582BCTR 广泛应用于以下领域：
　　1. **电源管理**：适用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电源分配系统，提供高效的功率控制。
　　2. **电机控制**：可用于电机驱动电路，如 H 桥结构中的高端或低端开关，实现电机的正反转控制。
　　3. **电池管理系统（BMS）**：在电池充放电保护电路中作为开关元件，用于隔离或连接电池与负载。
　　4. **LED 照明**：适用于 LED 驱动电路中的 PWM 调光控制，实现高效率的亮度调节。
　　5. **消费电子**：如笔记本电脑、平板电脑、智能电源插座等设备中的电源开关和负载管理。
　　6. **工业自动化**：用于 PLC、工业控制模块、继电器替代等场合，提供可靠的高电流开关能力。
　　7. **汽车电子**：适用于车载电源系统、车身控制模块（BCM）、电动窗控制等汽车应用，满足车载环境对可靠性和温度范围的要求。

Si2302DS, IRF7309, AO4406A, NDS355AN, FDS6675