型号：DLW32SH510XK2B
　　制造商：Murata
　　产品类型：铁氧体磁珠
　　封装/外壳：0805（2012公制）
　　阻抗 @ 100MHz：51Ω ±20%
　　额定电流：500mA
　　直流电阻（DCR）：最大400mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　测试频率：100MHz
　　最小包装数量：1000只/卷
　　特性阻抗曲线：典型峰值阻抗出现在100MHz附近，并随频率升高而增强滤波效果

DLW32SH510XK2B磁珠的核心优势在于其在高频段出色的噪声抑制能力。该器件在100MHz时提供51Ω的标称阻抗，能够有效地将高频噪声转化为热能消耗掉，从而防止这些噪声传播到其他电路部分或辐射出去造成电磁干扰。其阻抗特性随着频率的上升而增加，在数百MHz至GHz范围内表现出更强的滤波效果，非常适合用于抑制开关电源产生的谐波、数字IC的时钟噪声以及高速数据线上的串扰。该磁珠采用村田独有的低温共烧陶瓷（LTCC）技术和精细绕线结构，实现了小尺寸下的高性能表现。其内部绕组采用高导磁率铁氧体材料，增强了对磁场的吸收效率，同时保持较低的直流电阻（DCR），确保对主信号路径的压降影响极小，不会显著影响供电电压或信号完整性。
　　另一个关键特性是其优异的温度稳定性和长期可靠性。DLW32SH510XK2B可在-55°C至+125°C的宽温范围内稳定工作，适用于严苛环境下的电子系统。器件经过严格的耐久性测试和老化筛选，具备良好的抗湿性、抗机械应力和焊接耐热性，支持回流焊工艺，符合RoHS环保标准及无卤素要求。此外，该磁珠具有良好的频率选择性，能在不影响有用信号的前提下精准滤除特定频段的噪声。其S参数特性经过优化，保证在高速差分信号线（如USB、HDMI等）应用中不会引起明显的信号失真或反射。整体设计兼顾了电气性能与物理集成度，是现代高频高密度电路设计中理想的EMI对策元件。

DLW32SH510XK2B广泛应用于各类需要高效电磁干扰抑制的电子设备中。常见用途包括智能手机和平板电脑中的射频前端模块（RF Front-End），用于过滤来自天线开关、功率放大器和接收器路径的噪声；在Wi-Fi、蓝牙和NFC通信电路中，该磁珠被部署于电源去耦和信号线路中，以提高无线传输的稳定性和灵敏度。此外，在高速数字接口如USB 2.0、MIPI、SD卡接口等信号线上，它可以有效抑制高频噪声引起的串扰和辐射，保障数据传输的完整性。在便携式消费类电子产品中，由于空间限制严格且电磁环境复杂，DLW32SH510XK2B的小型化0805封装和高性能特性使其成为首选的滤波解决方案。工业控制设备、医疗电子仪器以及汽车电子模块（非动力系统）也常采用此类磁珠来提升系统的电磁兼容性，确保通过FCC、CE等国际认证。此外，它还可用于DC-DC转换器的输入输出端，配合电容构成π型或L型滤波网络，进一步降低电源纹波和传导噪声。总之，凡涉及高频信号处理或对EMI有严格要求的应用场景，DLW32SH510XK2B均能发挥重要作用。

BLM18PG510SN1D
　　DLW21SH510SQ2L