MBRF20100CTL 时间：2025/9/6 10:53:53 阅读：12

MBRF20100CTL 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier），专为高频率、高效能的开关电源设计。该器件采用了先进的肖特基技术，能够在高电流条件下提供较低的正向电压降（Vf），从而减少功耗并提高整体效率。MBRF20100CTL 是双共阴极（Dual Common Cathode）结构，适用于各种电源拓扑结构，如全波整流和同步整流应用。

参数

最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大平均整流电流（IF(AV)）：20A
　　正向电压（VF）：≤0.45V @ 10A
　　反向漏电流（IR）：≤10μA @ 100V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220
　　安装类型：通孔（Through Hole）
　　引脚数：3

特性

MBRF20100CTL 采用先进的肖特基势垒技术，能够在高频开关应用中实现低功耗和高效率。其低正向电压降（通常在0.45V以下）显著降低了导通损耗，特别适用于需要高效率和高功率密度的电源系统。该器件的双共阴极配置允许灵活的电路设计，可以支持全波整流和同步整流等多种拓扑结构。
　　此外，MBRF20100CTL 具有较高的热稳定性和可靠性，能够在-55°C至+175°C的宽温度范围内正常工作，适用于工业级和汽车级应用。其TO-220封装形式具有良好的散热性能，有助于在高电流工作条件下维持较低的结温，从而提高器件的使用寿命和稳定性。

应用

MBRF20100CTL 广泛应用于各类高效率电源系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电池充电器、太阳能逆变器、汽车电子系统以及工业控制设备。由于其低正向电压降和高电流承载能力，该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的电源转换场合。
　　在同步整流电路中，MBRF20100CTL 可以作为主整流器件，配合MOSFET或IGBT使用，以提高整流效率并减少发热。其双共阴极结构使得在双路输出或双相整流拓扑中更容易实现平衡设计。此外，该器件也可用于高频变压器次级侧整流，适用于高频率工作的电源适配器、服务器电源和通信设备电源模块。