型号：MBRD660CTTRRPBF
　　制造商：ON Semiconductor
　　二极管类型：肖特基势垒二极管（双共阴极）
　　最大反向重复电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　最大平均整流电流（IO）：3A（单个二极管）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：50A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：840mV @ 3A, 125°C（每二极管）
　　最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 60V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SMA（DO-214AC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　热阻抗（RθJA）：约70°C/W（典型值，依PCB布局而定）
　　反向恢复时间（trr）：典型值 < 5ns

MBRD660CTTRRPBF的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与快速的开关响应能力。这种结构通过金属-半导体结代替传统的PN结，显著减少了载流子的存储效应，从而大幅缩短了反向恢复时间（trr），通常小于5ns，使其非常适合高频开关应用如DC-DC转换器和开关电源系统。由于没有少数载流子注入，肖特基二极管在关断过程中几乎不产生反向恢复电流尖峰，这有助于降低电磁干扰（EMI）并提升整体系统效率。
　　该器件具有3A的额定平均整流电流，在高负载条件下仍能维持稳定的性能输出，同时其最大正向电压降仅为840mV（在3A和125°C条件下测量），意味着更低的导通损耗和更高的能量转换效率。这一特性对于电池供电设备尤其重要，能够延长续航时间并减少散热设计复杂度。此外，MBRD660CTTRRPBF支持高达60V的反向耐压，满足多种中低压应用场景的需求，例如太阳能充电控制器、电机驱动电路中的续流保护以及反极性保护电路。
　　封装方面，SMA（DO-214AC）是一种成熟且广泛应用的表面贴装封装，具备良好的热传导性能和机械稳定性。该封装便于自动化贴片生产，提升了组装效率，并可在紧凑型PCB布局中实现高密度集成。MBRD660CTTRRPBF还具备出色的温度适应能力，工作结温可达+125°C，确保在高温环境下长期可靠运行。其低热阻设计也有助于热量从芯片有效传递至PCB，进一步增强热管理能力。
　　该产品符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，属于绿色环保元器件，适用于各类消费电子、工业设备及通信模块。ON Semiconductor对产品质量有严格控制，保证器件在不同批次间具有一致的电气特性和可靠性，适合大规模量产使用。

MBRD660CTTRRPBF广泛应用于需要高效能、快速响应和小型化设计的电力电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流环节，特别是在低电压大电流输出的DC-DC转换器中，利用其低正向压降特性可显著提高电源效率。它也常用于同步整流替代方案中作为参考二极管，协助评估同步MOSFET的性能优势。
　　在便携式电子产品如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中，该二极管可用于电池充放电回路、电压调节模块（VRM）或负载切换电路，提供高效的能量传输路径。在太阳能光伏系统中，MBRD660CTTRRPBF可用于旁路二极管，防止热斑效应导致的能量损失和组件损坏。
　　此外，该器件适用于逆变器电路、UPS不间断电源、LED驱动电源以及电机驱动器中的续流（飞轮）二极管应用，有效抑制感性负载产生的反向电动势，保护主控开关元件（如MOSFET或IGBT）。在汽车电子领域，尽管其非车规级认证，但仍可用于部分车载辅助电源模块或后装市场设备中。
　　由于其表面贴装封装和小尺寸特点，该二极管特别适合自动化生产和高密度PCB布局，常见于通信设备、网络路由器、机顶盒、家用电器控制板等工业与消费类电子产品中，发挥着关键的功率处理作用。

MBR360CT-G
　　MBR360AG
　　SR360
　　SB360
　　SS36