您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > LH28F800BGHB-TTL10

LH28F800BGHB-TTL10 发布时间 时间:2025/8/27 21:34:45 查看 阅读:12

LH28F800BGHB-TTL10 是一款由Renesas(瑞萨电子)推出的高性能、低功耗的闪存存储器芯片,属于LH28F系列的Flash Memory产品。该芯片主要用于嵌入式系统和需要快速非易失性存储的应用场景。该型号为TSOP封装形式,支持TTL电平接口,工作温度范围宽,适合工业级应用环境。

参数

容量:8 Mbit(1M x 8)
  电压范围:2.7V - 3.6V
  访问时间:10 ns(最大)
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数量:56-pin
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:TTL电平兼容
  读取电流(典型值):10 mA
  待机电流(典型值):10 μA
  编程/擦除电压:内部电荷泵提供

特性

LH28F800BGHB-TTL10 闪存芯片具备多项优异性能,适用于高可靠性和高性能要求的系统设计。
  首先,该芯片支持10ns的快速访问时间,能够满足高速数据读取的需求,适用于对响应时间要求较高的嵌入式设备和控制系统。其低功耗特性在待机模式下仅消耗10μA的电流,非常适合电池供电或节能型应用。
  其次,LH28F800BGHB-TTL10 采用2.7V至3.6V的宽电压范围设计,提高了在不同电源环境下的兼容性。其TTL电平接口设计可直接与多种微控制器和逻辑电路连接,无需额外的电平转换器,简化了系统设计并降低了成本。
  此外,该芯片采用56-pin TSOP封装,体积小巧,适合空间受限的便携式设备。其工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,适用于工业控制、汽车电子、通信设备等严苛环境下的应用。
  在数据可靠性方面,LH28F800BGHB-TTL10 支持字节编程和块擦除功能,具有高耐用性和数据保持能力。其擦除和编程操作由内部电荷泵提供高压,无需外部高压电源,进一步简化了外围电路设计。
  综上所述,LH28F800BGHB-TTL10 凭借其高速、低功耗、宽电压范围、TTL接口兼容性和工业级温度特性,成为多种嵌入式系统和非易失性存储应用的理想选择。

应用

LH28F800BGHB-TTL10 主要应用于需要快速、可靠非易失性存储的嵌入式系统中。其典型应用包括工业控制设备中的固件存储、汽车电子系统的程序存储、通信模块的配置数据保存、医疗设备的参数设置存储以及消费类电子产品中的BIOS或引导代码存储。此外,该芯片也常用于需要频繁更新数据的场景,如智能卡终端、POS机、安防监控设备等。

替代型号

LH28F800BJB-TTL10, LH28F160BGH-TTL12, LH28F320BJE-TTL15

LH28F800BGHB-TTL10推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价