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MBRD5U150-RTF/H 发布时间 时间:2025/12/28 14:45:13 查看 阅读:27

MBRD5U150-RTF/H是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基势垒整流器(Schottky Barrier Rectifier),主要用于需要高效、低电压降的电源转换应用。该器件采用先进的硅技术,具有较高的热稳定性和较低的正向电压降,适用于电源适配器、DC-DC转换器、负载开关、电池充电器等应用。该整流器采用紧凑的表面贴装封装,便于在空间受限的电路板上安装。

参数

最大重复峰值反向电压(VRRM):150V
  最大平均正向电流(IF(AV)):5A
  正向压降(VF):0.43V(典型值,最大0.55V)
  反向漏电流(IR):0.5mA(最大值,在125°C时为5mA)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

MBRD5U150-RTF/H具备多个关键特性,使其在多种电源应用中表现出色。首先,该器件采用了肖特基二极管技术,具有较低的正向压降(VF),通常在1A电流下仅为0.43V左右,这显著降低了功率损耗并提高了整体能效。其次,该整流器的最大重复峰值反向电压为150V,适用于中高电压应用,能够承受较高的电压应力。此外,MBRD5U150-RTF/H的最大平均正向电流为5A,适合用于中等功率的整流和续流应用。
  该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,适用于严苛的工业和汽车环境。其TO-252(DPAK)封装形式具备良好的热性能,能够有效散热,提高了器件的可靠性和寿命。同时,MBRD5U150-RTF/H的反向漏电流较低,在常温下最大为0.5mA,即使在高温环境下(如125°C)也仅增加到5mA,确保了在高温工况下的稳定运行。
  另外,该器件符合RoHS环保标准,无铅封装,符合现代电子产品的环保要求。其表面贴装封装设计简化了PCB布局和组装流程,有利于提高生产效率并降低成本。MBRD5U150-RTF/H适用于高频开关电源,因其快速恢复特性可减少开关损耗,提高系统效率。

应用

MBRD5U150-RTF/H广泛应用于多种电源和功率电子系统中。其主要应用包括:电源适配器、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电器、负载开关、电源管理系统、电机驱动器、LED照明电源、工业自动化设备以及汽车电子系统等。由于其高电流能力、低正向压降和良好的热性能,该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的应用场景。

替代型号

MBRD5U150-RTF/H的替代型号包括MBR5U150、MBR5U150T3G、MBRD520U、MBRD540U以及SR5150等,这些型号在性能参数和封装形式上具有一定的兼容性,可根据具体应用需求进行选型替换。

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