时间:2025/12/27 7:37:45
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LR18120HG-12-SH2-R是一款由LRC(乐山无线电)生产的高功率肖特基势垒二极管,广泛应用于电源整流、逆变器和开关电源等高电流、高效率要求的电路中。该器件采用TO-277B(SMAF)封装,具有较小的体积和良好的散热性能,适合表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。LR18120HG-12-SH2-R的最大反向重复电压为120V,最大平均整流电流可达18A,具备较低的正向导通压降和快速恢复特性,能够有效降低功耗并提升系统整体效率。该产品符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子设备的设计需求。
这款二极管在设计上优化了热阻性能,能够在较高的环境温度下稳定工作,增强了系统的可靠性。其结构采用先进的芯片制造工艺和封装技术,确保在大电流通过时仍能保持较低的温升,从而延长器件寿命。此外,LR18120HG-12-SH2-R具有较强的抗浪涌能力,可承受高达500A的峰值电流冲击,适用于存在瞬态过载风险的应用场景。由于其优异的电气性能和可靠的机械结构,该型号被广泛用于通信电源、工业控制电源、LED驱动电源以及新能源领域的DC-DC转换器中。
型号:LR18120HG-12-SH2-R
类型:肖特基势垒二极管
最大重复反向电压(VRRM):120V
最大直流阻断电压(VR):120V
最大RMS电压(VRMS):85V
最大平均整流电流(IO):18A
峰值正向浪涌电流(IFSM):500A
最大正向电压降(VF):0.63V @ 18A, Tj=25°C
最大反向漏电流(IR):0.1mA @ 120V, Tj=25°C
工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
热阻结到壳(RθJC):1.4°C/W
热阻结到环境(RθJA):40°C/W
封装形式:TO-277B (SMAF)
安装方式:表面贴装(SMT)
LR18120HG-12-SH2-R的核心优势在于其出色的电学性能与热管理能力的结合。该器件采用了先进的平面工艺和低欧姆接触技术,实现了极低的正向导通压降,在18A的工作电流下典型值仅为0.63V,显著降低了导通损耗,提高了电源系统的转换效率。这种低VF特性对于高负载持续运行的电源系统尤为重要,有助于减少发热,提升能效比。同时,作为肖特基二极管,它不具备少数载流子存储效应,因此具有极快的开关速度和几乎无反向恢复时间的特点,避免了传统PN结二极管在高频开关过程中产生的反向恢复电流尖峰,从而减少了电磁干扰(EMI)和开关损耗。
该器件具备优良的热稳定性,其TO-277B封装采用铜框架和双焊点设计,增强了导热路径,有效将芯片热量传导至PCB板,实现高效散热。热阻结到壳仅为1.4°C/W,使得即使在高功率密度应用中也能维持较低的结温,提升了长期工作的可靠性。此外,器件经过严格的高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)和温度循环测试,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。LR18120HG-12-SH2-R还具备优异的抗浪涌能力,可承受高达500A的单脉冲浪涌电流(8.3ms正弦半波),使其在面对电网波动或启动冲击时具有更强的耐受力,保护后级电路安全。
从制造工艺来看,该产品采用全自动生产线进行焊接、塑封和测试,保证了批次间的一致性和高良率。所有材料均符合无铅(Pb-free)和RoHS指令要求,支持绿色环保生产。引脚镀层为无铅可焊涂层,兼容现代回流焊工艺,防止虚焊和热裂问题。此外,器件外壳绝缘性能良好,爬电距离和电气间隙满足国际安规要求,适用于多种隔离型电源拓扑结构。综合来看,LR18120HG-12-SH2-R是一款高性能、高可靠性的功率整流器件,特别适合对效率、尺寸和可靠性有严格要求的应用场合。
LR18120HG-12-SH2-R广泛应用于各类高效率电源系统中,尤其适用于需要大电流、低压降整流的场景。在开关模式电源(SMPS)中,常用于输出端的同步整流或续流二极管,替代传统的快恢复二极管以降低损耗,提高整体效率。在DC-DC转换器特别是降压(Buck)和升压(Boost)拓扑中,该器件可用于续流路径,凭借其快速响应能力和低正向压降,有效减少能量损失,提升转换效率。在服务器电源、通信基站电源、工业电源模块等领域,该二极管因其高电流承载能力和良好的热性能而备受青睐。
在新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车车载充电机(OBC)中,LR18120HG-12-SH2-R可用于中间直流链路的整流或辅助电源整流部分,帮助实现更高的功率密度和更低的温升。在LED照明驱动电源中,尤其是在大功率户外LED灯具中,该器件可用于次级侧整流,确保长时间高亮度工作下的稳定性和寿命。此外,在电机驱动、UPS不间断电源和消费类大功率适配器中也有广泛应用。由于其表面贴装封装形式,特别适合自动化贴片生产,适用于大批量制造场景。同时,该器件也可用于电池管理系统(BMS)中的防反接保护电路,利用其单向导通特性防止电流倒灌损坏电池组。
SR18120C-12-SH2-R
VS-18120PFB-M3
MBR18120CTG
STPS18120CT