MBRD10U150-RTF/H 时间：2025/12/28 14:55:30 阅读：14

MBRD10U150-RTF/H 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）。该器件以其低正向压降和快速开关特性广泛应用于高效能电源系统中。该器件采用TO-252（DPAK）封装，便于在各种应用中进行散热和安装。该器件专为高频率开关电源、DC-DC转换器以及续流二极管等应用设计。

参数

最大重复峰值反向电压：150V
　　最大平均正向电流：10A
　　正向压降（IF=10A时）：约0.47V
　　反向漏电流（VR=150V时）：最大10μA
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

MBRD10U150-RTF/H 的主要特性之一是其低正向压降，这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有非常快的恢复时间，几乎为零反向恢复时间，这使其非常适合用于高频开关应用。由于肖特基二极管的特性，该器件在高温下仍能保持良好的性能，具备较高的热稳定性。
　　其TO-252封装不仅提供了良好的散热性能，还兼容标准的表面贴装技术（SMT）装配流程，有利于提高生产效率和可靠性。此外，该器件的高浪涌电流承受能力使其在面对瞬态过载情况时仍能保持稳定运行。
　　MBRD10U150-RTF/H 还具有较高的可靠性，在长时间运行和恶劣工作环境下表现出色。其封装材料符合UL认证，确保了器件在各种工业和汽车应用中的安全性和耐用性。

应用

MBRD10U150-RTF/H 被广泛应用于多种电源管理系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器、太阳能逆变器以及电机驱动器中的续流二极管。此外，它也可用于汽车电子系统、工业自动化设备和高效率LED照明驱动电路。
　　由于其出色的性能和可靠的封装设计，该器件在需要高效能、小尺寸和高可靠性的应用中尤为受欢迎。例如，在汽车电子中，它可以用于车载充电系统或电源管理系统；在通信设备中，作为高频率整流元件；在消费电子产品中，用于提升电源转换效率并减少发热。
　　在工业应用中，MBRD10U150-RTF/H 可用于变频器、UPS不间断电源和电机控制模块。其高浪涌电流能力和良好的热管理性能，使其能够在苛刻的工业环境中保持稳定运行。