型号：MBRB3035CT
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：双肖特基势垒整流二极管
　　配置：共阴极（Common Cathode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：35V
　　最大直流阻断电压（VR）：35V
　　平均整流电流（IO）：15A（每芯片）
　　总平均正向电流（IF(AV)）：30A（两通道合计）
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：100A（@8.3ms单半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：0.57V @ 15A, TJ=25°C（典型值）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 25°C, VR=35V；10mA @ 100°C, VR=35V
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB
　　安装方式：通孔安装（Through-Hole）
　　引脚数：3

MBRB3035CT的核心特性之一是其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属与半导体之间的势垒形成整流效应，而非传统PN结。这一机制从根本上消除了少数载流子的储存效应，从而实现了极快的开关速度和几乎可以忽略不计的反向恢复时间（trr）。这意味着在高频开关操作中，器件不会产生明显的反向恢复电流尖峰，有效减少了开关损耗和电磁干扰（EMI），提升了系统的整体能效和稳定性。此外，由于没有少子注入，该器件在关断过程中不会出现拖尾电流现象，进一步优化了动态性能。
　　另一个关键特性是其低正向导通压降（VF）。在典型工作条件下（Tj = 25°C），当通过15A电流时，VF仅为0.57V左右，远低于普通硅整流二极管的0.7V~1.2V水平。这直接降低了导通状态下的功率损耗（Ploss = VF × IF），对于大电流应用场景尤为重要。例如，在一个输出电流为30A的DC-DC变换器中使用该器件，可显著减少发热，提升电源效率，甚至允许更紧凑的散热设计。
　　该器件还具备出色的热性能和高可靠性。TO-220AB封装提供了良好的热传导路径，结合其宽泛的工作结温范围（-65°C 至 +175°C），使其能在恶劣的热环境下长期稳定运行。同时，高达100A的非重复浪涌电流承受能力增强了其对瞬态过流事件（如电源启动冲击）的耐受性，提高了系统鲁棒性。此外，共阴极双二极管结构简化了PCB布局，减少了寄生电感，有利于高频性能优化。

MBRB3035CT因其优异的电气和热性能，广泛应用于多种中高功率电子系统中。在开关模式电源（SMPS）领域，它常用于次级侧整流电路，特别是在低压大电流输出的AC-DC适配器、计算机电源和服务器电源中，作为同步整流的替代方案或辅助整流元件，帮助实现高效率能量转换。其低VF和快速响应特性使其成为DC-DC降压或升压转换器中的理想选择，尤其是在多相VRM（电压调节模块）设计中，用于处理高负载电流并保持低功耗。
　　在通信电源系统中，MBRB3035CT被用于电信整流器和基站电源模块，确保在连续高负载条件下稳定运行。其高结温能力和良好热稳定性使其适用于密闭或高温环境下的工业控制设备电源部分。此外，该器件也常见于UPS（不间断电源）、逆变器和太阳能充电控制器等能源管理系统中，承担能量回馈和防止反向电流的任务。
　　由于其TO-220封装便于安装散热片，因此在需要手动焊接或维修的原型开发和中小批量生产中也广受欢迎。在汽车电子领域，尽管该器件并非专为汽车级认证设计，但在某些非安全关键的车载电源模块中仍有应用，例如车载充电器或辅助电源单元。总之，任何需要高效、低损耗、快速响应整流功能的大电流低压直流系统均可考虑采用MBRB3035CT作为核心整流元件。

SR3035PT
　　MUR3035CT
　　SS335-TH
　　MBR3035CT