型号：MBRB1540CT-T
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：双肖特基势垒二极管（中心抽头）
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：15A（每二极管）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：60A（单脉冲，8.3ms半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：0.52V（典型值，@ IF = 7.5A, Tc=25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA（@ VR = 40V, TJ=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-277（D-Pak类似）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　热阻（RθJC）：约1.7°C/W（典型）
　　反向恢复时间（trr）：典型值小于10ns（肖特基特性，无少子存储效应）

MBRB1540CT-T的核心优势在于其采用肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，典型值在7.5A电流下仅为0.52V。这一特性显著降低了二极管在导通状态下的功率损耗（Ploss = VF × IF），特别适用于大电流、低电压输出的DC-DC变换器，如用于CPU供电的多相Buck转换器。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管没有少子存储电荷，因此其反向恢复时间极短，通常小于10ns，几乎不存在反向恢复电流尖峰。这不仅减少了开关过程中的电磁干扰（EMI），还避免了因反向恢复引起的额外功耗，进一步提升了电源系统的整体效率。
　　该器件内部集成了两个阳极共接或阴极共接的肖特基二极管，构成中心抽头结构，非常适合用于全波整流电路，尤其是在同步整流不适用或成本受限的应用中。这种配置简化了PCB布局，减少了元件数量，提高了可靠性。MBRB1540CT-T的15A额定电流能力使其能够支持高功率密度设计，而其表面贴装封装（TO-277）则有利于实现紧凑的PCB布局并提升散热效率。通过合理的PCB铜箔设计（如大面积敷铜或连接散热焊盘），可有效降低热阻，确保器件在高负载条件下稳定运行。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性，工作结温可达+125°C，适用于工业级和商业级应用场景。其反向漏电流在高温下虽有所增加，但在40V反向电压和125°C结温下仍保持在可接受范围内。安森美提供的详细数据手册中包含了热阻、电流降额曲线、瞬态热阻抗等关键参数，便于工程师进行热设计和可靠性评估。MBRB1540CT-T还具备较强的浪涌电流承受能力，60A的峰值浪涌电流规格使其能够应对电源启动或负载突变时的瞬态冲击，增强了系统的鲁棒性。

MBRB1540CT-T广泛应用于各类需要高效低压整流的电源系统中。其主要应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是低压大电流输出的AC-DC适配器和开放式电源，如用于消费类电子产品（笔记本电脑、显示器）和网络设备（路由器、交换机）的电源模块。在直流-直流（DC-DC）转换器中，它常被用作次级侧整流二极管，特别是在非隔离式Buck转换器或隔离式正激、推挽、全桥拓扑的副边整流环节。由于其低VF特性，能有效提升转换效率，减少散热需求，适用于高密度电源设计。
　　该器件也适用于电池充电系统、LED驱动电源、电信整流器和服务器电源单元（PSU）。在这些应用中，效率、可靠性和空间紧凑性是关键考量因素，MBRB1540CT-T的性能表现尤为突出。此外，由于其快速的开关特性，它也可用于防止反向电流的保护电路，或作为防倒灌二极管使用。在汽车电子领域，虽然其工作温度上限为125°C，限制了在严苛环境下的使用，但仍可用于部分车载信息娱乐系统或辅助电源模块。总之，任何需要在40V以下电压等级进行高效能量转换的场合，MBRB1540CT-T都是一个极具竞争力的解决方案。

MBRB1545CT-T
　　MBRB1545CT
　　SS1540CT
　　SB1540CT