MBRA120TR 时间：2025/12/26 21:00:16 阅读：23

MBRA120TR是一种由ONSEMI（安森美）公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管，专为高效率、低电压应用设计。该器件采用双二极管结构，配置为共阴极形式，非常适合在空间受限且对热性能和电气性能要求较高的应用场景中使用。MBRA120TR以其快速的开关速度、低正向压降和高可靠性而著称，广泛应用于电源管理电路、DC-DC转换器、逆变器、续流二极管以及极性保护电路中。其SOD-323封装具有小巧的外形尺寸，适合自动化贴片生产流程，同时具备良好的散热性能。该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。MBRA120TR的工作温度范围较宽，可在-55°C至+125°C之间稳定运行，适用于工业控制、消费电子和便携式设备等多种环境条件下的应用需求。由于其优异的反向恢复特性，几乎不存在反向恢复电荷，因此在高频开关电路中表现出色，有助于降低系统功耗并提升整体能效。此外，该器件还具备较强的抗浪涌电流能力，在瞬态负载变化时仍能保持稳定工作，增强了系统的鲁棒性。

参数

型号：MBRA120TR
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：肖特基势垒二极管
　　配置：双共阴极
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：20V
　　最大直流阻断电压（VR）：20V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　正向压降（VF）：典型值0.275V（在100mA, 25°C条件下），最大值0.4V（在200mA, 25°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大10μA（在20V, 25°C条件下）
　　反向恢复时间（trr）：≤5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-323
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2

特性

MBRA120TR的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属与半导体之间的势垒形成整流效应，显著降低了正向导通压降，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。相比于传统的PN结二极管，肖特基二极管没有少数载流子的储存效应，因此具备极快的开关速度和极短的反向恢复时间，通常小于5ns，这使得它在高频开关电源和高速整流电路中表现尤为出色。该器件的低VF特性意味着在相同电流下产生的热量更少，有助于简化热管理设计，尤其适用于对温升敏感的小型化电子产品。
　　其双共阴极配置允许两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极端子，这种结构常用于双路输出或需要并联工作的场合，如双通道DC-DC转换器中的续流路径或电池极性反接保护电路。SOD-323封装不仅体积小巧（约1.7mm x 1.25mm x 1.1mm），而且具有良好的热传导性能，能够在有限的空间内实现高效的散热。该封装也兼容标准的回流焊工艺，便于大规模自动化生产。
　　MBRA120TR具有较低的反向漏电流，最大仅为10μA，在高温环境下也能保持相对稳定的电气性能，避免因漏电增加而导致的功耗上升问题。尽管肖特基二极管普遍存在的问题是反向击穿电压较低，但MBRA120TR的20V耐压足以覆盖大多数低压数字和模拟电源系统的需求，例如3.3V、5V或12V供电轨。此外，该器件具备一定的浪涌电流承受能力，可在短时间内应对突发的大电流冲击，提升了在实际应用中的可靠性和耐用性。

应用

MBRA120TR广泛应用于各类低电压、小电流的电子系统中，尤其适合需要高效能和紧凑布局的设计场景。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源整流与极性保护，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。在这些设备中，MBRA120TR可用于防止电池反接损坏主控芯片，同时作为DC-DC转换器中的续流二极管，有效提升电源转换效率。
　　在电源管理系统中，该器件常被用作OR-ing二极管，实现多电源输入选择功能，例如在主电源与备用电池之间自动切换，确保系统持续供电。此外，它还可用于隔离不同电源域，防止电流倒灌造成干扰或损坏。
　　在通信模块和物联网设备中，MBRA120TR可用于信号整流和钳位保护，防止静电放电（ESD）或电压瞬变对敏感电路造成损害。由于其快速响应特性，也能在PWM调光电路或电机驱动电路中作为续流路径，抑制感性负载断开时产生的反电动势。
　　工业控制领域中，该二极管可用于传感器接口电路、PLC输入模块或低功耗微控制器系统的电源管理部分。其宽工作温度范围和高可靠性使其能在恶劣环境中长期稳定运行。此外，MBRA120TR也适用于LED驱动电路、USB供电路径保护以及各种嵌入式系统的板级保护设计。