MBR860F 时间：2025/8/15 10:00:35 阅读：22

MBR860F是一款肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），由ON Semiconductor生产。这款二极管以其低正向电压降和快速开关特性而闻名，适用于需要高效率和高频操作的电源转换应用。MBR860F采用TO-220封装形式，能够承受较高的电流和功率，因此广泛应用于电源适配器、DC/DC转换器、续流二极管和极性保护电路等场景。

参数

最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：8A
　　正向电压降（VF）：0.37V @ 8A
　　反向漏电流（IR）：10μA @ 60V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220

特性

MBR860F的主要特性是其低正向电压降，这使得在大电流工作条件下能够显著降低功耗，提高整体系统效率。
　　该器件具有较高的浪涌电流承受能力，使其在面对瞬态负载或启动条件时仍能保持稳定运行。
　　由于采用了肖特基结构，MBR860F具备非常快的恢复时间，非常适合高频开关应用。
　　此外，MBR860F的TO-220封装设计提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下也能维持较低的工作温度。
　　其宽广的工作温度范围也增强了器件在恶劣环境下的可靠性。

应用

MBR860F主要应用于电源管理领域，如AC/DC和DC/DC转换器中的整流元件。
　　在开关电源（SMPS）中，它常用于输出整流和续流路径，以提升转换效率并减少热量产生。
　　该器件也适用于电机驱动和逆变器电路中的反向电流保护。
　　此外，MBR860F还可用于电池充电器、太阳能逆变器以及各种需要高效能二极管的工业控制系统中。